变频器IGBT门极驱动设计.pdf

变频器 IGBT 门极驱动设计 符号解释 C : 电容 F C :IGBT 等效输入电容 F ies C :IGBT GE 电容 F ge C :IGBT GC 电容 米勒电容 F gc C : IGBT 门极总电容 F g P :门极功率 W g P :门极驱动电阻功率 W r R :门极电阻 Ω g R : IGBT 内部门极电阻 Ω g int V :门极驱动电压(Von-Voff) V ge U : 电压 V I : 电流 A Q : 电荷 C (库仑) Qg : 门极电荷 C t : 时间 S t : 信号脉冲宽度 S p W : 能量 J/s P : 功率 W F :开关频率 HZ sw t :开关时间 S tsw=1/Fsw sw Dmax :最大占空比 tp/tsw tp*Fsw 1: 电容基础 电荷，电容，电压关系： Q = CgU 电容极板间的介质是绝缘的，故当电容的电流不为零时，电容的电荷一定有变化，如果在 dt 时间内，电容上电荷增加了dQ,则电容电流 I, 时间t 关系为: DQ DU DQ I = Dt = RgC = gC = Dt I I 由于Q=CU, C 是常数不能变，故 dQ=C*dU DQ DU I = =Cg Q = Idt 电荷是电流的时间积分. Dt Dt ò DU DtgI I =Cg ,Dt gI =CgDU ,DU = 求电压 Dt C 例如:C=2F,dt 变化从 0-2.5mS, dU 变化从 0-20mV,计算他的变化电流. DQ DU (20-0)g10-3 0.02 I = =C g = 2g = 2g =16A Dt Dt (2.5-0)g10-3 0.0025 电容的能量 1 2 W = CU 2 例如: C=200uF,U=2000V,计算他的能量 -6 2 1 2 200g10 g2000 W = CU = = 400 J P = J / s(second) 2 2 2: IGBT 驱动 门极总电容，英飞凌厂家提供数据大约是门极输入电容的 5 倍 C = C g5 g ies 栅极电荷: Q = C gV g g ge 栅极能量: W = Q gV g ge 所以门极平均功率为: P = F gQ gV = F gW g (avg ) sw g ge sw Qg 与电流,开关时间关系 Q = Idt g ò Q = I gt ge ge sw Q = I gt gc gc sw Q = (Q +Q )gt g ge gc sw 1 t = sw F sw 门极平均电流: I = I +I =Q gF g (avg ) ge gc g sw I 最高开关频率 : F =