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多晶硅料 GCL是全球领先的多晶硅、硅片的供货商。在多晶硅制造方面，GCL采用拥有自主知识产权的 GCL法多晶硅生产技术，采用闭环冷氢化生产工艺实现了对多晶硅生产的主要副产品——四氯化硅与氯 化氢的有效回收，不仅有效控制了多晶硅生产对环境的污染，也大幅降低了多晶硅的单位生产成本。 GCL提供高品质的太阳能级和半导体级/电子级的多晶硅原料，多晶硅N型电阻率达到200～ 500Ω cm，纯度达9N～11N。 多晶硅料 产品性能参数 外观特性 特性 Property 规格 Specification 多晶硅块料或者棒料。 正料 质量指标符合合同要求， 外观致密，表面光滑，或者裂隙深度小于三毫米，内部无夹层 多晶硅块料或者棒料。在质量满足合同的前提下 存在的外观不够致密， 外观 Appearance 珊瑚料 表面不光滑或者裂隙深度大于三毫米的情况，不管存在的比例为多少，都认定为珊瑚料 废料 3mm以下的小硅粒、带石墨料等 杂料 没有归入正料、珊瑚料或者废料的这一类硅料 电学特性数 等级 Grade 电子级 太阳能Ⅰ级 太阳能Ⅱ级 太阳能Ⅲ级 导电型号/掺杂剂 N/phosphorus N/phosphorus N/phosphorus N/phosphorus Conductivity Type/ Dopant 基磷电阻率 Resistivity ≥250 ·cm ≥100 ·cm ≥40 ·cm ≥20 ·cm 基硼电阻率 Resistivity ≥1000 ·cm ≥500 ·cm ≥200 ·cm ≥100 ·cm 少子寿命 Brick Lifetime ≥100 µs ≥100 µs ≥50 µs ≥30 µs 氧含量 Oxygen Concentration ≤1.0×1017atoms/cm3 ≤1.0×1017atoms/cm3 ≤1.0×1017atoms/cm3 ≤1.5×1017atoms/cm3 碳含量 Carbon Concentration ≤2.5×1016atoms/cm3 ≤2.5×1016atoms/cm3 ≤4.0×1016atoms/cm3 ≤4.5×1016atoms/cm3 施主杂质含量(P) ≤0.3ppba ≤1.5ppba ≤3.76ppba ≤7.74ppba Benefactor impurities concentration 受主杂质含量(B、Al) ≤0.3ppba ≤0.5ppba ≤1.3ppba ≤2.7ppba Acceptor impurities concentration 基体金属杂质含量 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn ≤0.03ppmw ≤0.05ppmw ≤0.1ppmw ≤0.2ppmw Total metal impurities 关于 GCL 保利协鑫能源控股有限公司（恒生综合指数成分股：38