P2数字电子技术第二篇的(徐丽香,第二版).pptVIP

2.2 晶体管的开关特性 1、二极管的开关特性 2．4 CMOS集成门电路 CMOS集成门电路是互补金属氧化物半导体器件的简称。 它是利用栅源之间的电压υGS来控制漏极电流ID的一种器件。它和晶体管一样可以当作开关使用。 2.4.2 常用CMOS门电路 2.4.3 CMOS逻辑门电路的主要参数 2.4.4 CMOS集成门电路的应用 2.5 集成门电路的实用知识 2.5.1 常用集成门电路型号系列简介 2. CMOS门电路型号系列介绍 3、 74系列的TTL、和4000系列的CMOS门电路输入、输出参数 （4）CMOS集成电路的输出端不允许直接接VDD或VSS。 （5）在储存和运输中，CMOS集成电路应用金属纸（如铝箔）包好，短路集成电路的管脚，装入金属盒内屏蔽。使用时，开封后要马上使用，以免静电击穿集成电路。 （6）所有与CMOS电路直接接触的工具，测试设备必须可靠地接地。 2. CMOS驱动TTL TSL门的应用：用于控制信号的传输 ①作多路开关：E=0时，门G1使能，G2禁止，Y=A；E=1时，门G2使能，G1禁止，Y=B。 ②信号双向传输：E=0时信号向右传送，B=A；E=1时信号向左传送，A=B 。 ③构成数据总线：让各门的控制端轮流处于低电平，总线就会轮流接受各TSL门的输出。 控制端EN可作为读/写(RW)选择端。当此端为低电平时，由微处理器向存储器写入信号，数据传送从左往右；当此端为高电平时，微处理器（CPU）从存储器读出数据，数据传送从右往左。 （2）三态门的用途 利用三态门进行数据的双向传送 2．4．1 MOS管的开关特性 ? MOS有三个电极：源极S，栅极G、漏极D，图中箭头方向说明管子的沟道类型。N沟道箭头向里，P沟道箭头朝外。 CMOS集成电路主要使用的是增强型MOS管。 增强型MOS管符号 CMOS门电路有和TTL相当功能的逻辑门，如：与门、或门、与非门、或非门、与或非门、三态门、异或门、和类似TTL的OC门的OD门（漏极开路的门电路）等，其逻辑符号和表达式与TTL门电路的完全一致。此外，CMOS传输门也是常用的CMOS门电路。 TTL门电路只能用于控制数字信号的传递，而CMOS传输门可用来控制模拟信号的传递。 1、CMOS传输门（简称TG） CMOS传输门是由一个增强型NMOS管VT1和增强型PMOS管VT2并联而成。 CMOS传输门 2、CMOS模拟开关 υI在0~10V范围变化时，VT1管和VT2管至少有一个管导通，保持υO=υI，即CMOS传输出门电路除了可以传输数字信号以外，还可以传输模拟信号。 （1）输出高电平VOH与输出低电平VOL。VOH的理论值为电源电压VDD，VOH（min）=0.9VDD；VOL的理论值为0V，VOL（max）=0.01VDD。 （2）阈值电压Vth。阈值电压Vth约为VDD/2。 （3）抗干扰容限。CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.50VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3VDD，电源电压VDD越大，其抗干扰能力越强。 （4）传输延迟与功耗。CMOS电路的功耗很小，但传输延迟较大。74HC高速CMOS系列的工作速度己与TTL系列相当。 （5）扇出系数。因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，一般额定扇出系数可达50。但必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低于TTL电路。 2.4.3 CMOS逻辑门电路的主要参数 灯光报警器电路 实验 1、TTL门电路型号系列介绍 在该表中CMOS门电路的供电电压采用与TTL门电路相同的供电电压+5V。 2.5.2 集成门电路使用注意事项 1、TTL门电路的使用注意事项： （1）TTL电路的电源正端通常标以“VCC”，负端标以“GND”。电源正常是集成电路门电路能否正常工作的必要条件。 （2）TTL集成电路对电源电压要求比较严格，除了低电压、低功耗系列外，通常只允许在+5V±0.5V的范围内工作。 TTL与非门输入端经电阻接地 1、TTL门电路的使用注意事项： （4）TTL集成电路的输出端不允许直接接地或直接接+5V，否则将导致器件损坏。 与非门多余输入端的处理 或门、或非门多余输入端的处理 （3）TTL门电路的多余输入端处理方法 集成电路在使用集成电路时有时可能会出现多余的引脚。多余的引脚处理时主要考虑逻辑关系 （1）CMOS电路的电源正端标以“VDD”，负端标以“VSS”。使用时一般将“VSS”接地。 （2）由于CMOS通过上千Ω的电阻接地，仍看作低电平输