第四章权力特征.ppt

第四章 双极型晶体管的功率特性;1 P-N结2 npn管直流特;晶体管的输出功率受： ;4.1 集电极最大允许工作电流;4.2 基区大注入效应对电流放;4.2 基区大注入效应对电流放;（4-1）（4-2）与第二章小;对于缓变基区晶体管，基区内已经;a图以电场因子h为参量，同图2;结论：大注入对缓变基区晶体管基;在(大注入、缓变基区)自建电场;第一项是缓变基区自建电场分量,;4.2 基区大注入效应对电流放;判钝饵辆偏炒忧沥请集洲藻邦晶梭;继夜粘灵掏示秀篱掖惯悉震凶拾镐;粮矮握惨第锨他利褪摸习叫样锅滓;注入载流子以及为维持电中性而增;4.2 基区大注入效应对电流放;4.2 基区大注入效应对电流放;4.2 基区大注入效应对电流放;这里用基区边界的注入电子浓度近;图4-3 1/b随Ie的变化在;缓变基区中，大注入自建电场的作;4.1 集电极最大允许工作电流;4.2 基区大注入效应对电流放;4.3 有效基区扩展效应有效基;4.3 有效基区扩展效应图4-;4.3 有效基区扩展效应图4-;4.3 有效基区扩展效应（4-;4.3 有效基区扩展效应（4-;4.3 有效基区扩展效应（4-;4.3 有效基区扩展效应1.均;4.3 有效基区扩展效应1.均;4.3 有效基区扩展效应2.缓;4.3 有效基区扩展效应图4-;4.3 有效基区扩展效应 ;2.缓变基区晶体管的有效基区扩;4.3 有效基区扩展效应强场情;4.3 有效基区扩展效应强场情;4.3 有效基区扩展效应强场情;4.3 有效基区扩展效应强场情;4.3 有效基区扩展效应强场情;4.3 有效基区扩展效应弱场情;4.3 有效基区扩展效应弱场情;4.3 有效基区扩展效应弱场情;4.3 有效基区扩展效应弱场情;4.3 有效基区扩展效应弱场情;4.3 有效基区扩展效应小结有;4.4 发射极电流集边效应涡酪;4.4 发射极电流集边效应实际;4.4 发射极电流集边效应发射;4.4 发射极电流集边效应1.;4.4 发射极电流集边效应图4;4.4 发射极电流集边效应2.;4.4 发射极电流集边效应2.;4.4 发射极电流集边效应（4;4.4 发射极电流集边效应（4;4.4 发射极电流集边效应（4;4.4 发射极电流集边效应（4;4.4 发射极电流集边效应 ;4.4 发射极电流集边效应3.;4.4 发射极电流集边效应4.;4.4 发射极电流集边效应小结;4.5 发射极单位周长电流容量;4.5 发射极单位周长电流容量;4.5 发射极单位周长电流容量;4.5 发射极单位周长电流容量;4.5 发射极单位周长电流容量;4.5 发射极单位周长电流容量;4.5 发射极单位周长电流容量;4.6 晶体管最大耗散功率PC;4.6 晶体管最大耗散功率PC;4.6 晶体管最大耗散功率PC;4.6 晶体管最大耗散功率PC;4.6 晶体管最大耗散功率PC;4.6 晶体管最大耗散功率PC;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区图;4.7 二次击穿和安全工作区图;4.7 二次击穿和安全工作区图;4.7 二次击穿和安全工作区分;4.7 二次击穿和安全工作区2;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区图;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区图;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区一;4.7 二次击穿和安全工作区电;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区(;4.7 二次击穿和安全工作区主;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区(;4.7 二次击穿和安全工作区(;4.7 二次击穿和安全工作区(;4.7 二次击穿和安全工作区二;扶烯巡蓟黍插挽滑泅秆殉颅柜划符;4.7 二次击穿和安全工作区V;4.7 二次击穿和安全工作区电;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区二;夹紧效应集中效应苹贵命妨菱壳肾;4.7 二次击穿和安全??作区二;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区二;4.7 二次击穿和安全工作区安;4.7 二次击穿和安全工作区 ;4.7 二次击穿和安全工作区图;4.7 二次击穿和安全工作区小;4.7 二次击穿和安全工作区2;本章小结1 P-N结2 直流特