半导体二极管教学教案01.docVIP

半导体二极管 内容简介 本章首先介绍半导体的导电性能和特点，进而从原子结构给与解释。先讨论PN结的形成和PN结的特性，然后介绍半导体二极管特性曲线和主要参数。分析这些管子组成的几种简单的应用电路，最后列出常用二极管参数及技能训练项目。技能教学目标 ????1.了解半导体基础知识，掌握PN结的单向导电特性； ??? 2.熟悉二极管的基本结构、伏安特性和主要参数； ??? 3.掌握二极管电路的分析方法； ??? 4.了解特殊二极管及其应用。 技能教学目标 ??? 1.能够识别和检测二极管，会测定二极管简单应用电路参数。 本章重点 ??? 1.要求掌握器件外特性，以便能正确使用和合理选择这些器件。如：半导体二极管：伏安特性，主要参数，单向导电性。 ??? 2.二极管电路的分析与应用。 本章难点 ?? ?1.半导体二极管的伏安特性，主要参数，单向导电性。 2.二极管电路分析方法。从导电性能上看，通常可将物质为三大类：导体： 电阻率 ，缘体：电阻率 ， 半导体：电阻率ρ介于前两者之间。目前制造半导体器件材料用得最多的有：单一元素的半导体——硅(Si)和锗(Ge);化合物半导体 —— 砷化镓(GaAs)。 ?图1.1.1 半导体示例 1.1.1 本征半导体 ??? 纯净的半导体称为本征半导体。用于制造半导体器件的纯硅和锗都是四价元素，其最外层原子轨道上有四个电子（称为价电子）。在单晶结构中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻的原子所共有，形成图1.1.2所示的共价健结构，图中+4代表四价元素原子核和内层电子所具有的净电荷。共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。 ????因此，半导体中有自由电子和空穴两种载流参与导电，分别形成电子电流和空穴电流，这一点与金属导体的导电机理不同。 ? 1.1.2 杂质半导体 ??? 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 一、 N型半导体 ??? 若在四价的硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素(如磷、锑、砷等)，则晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原 子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样，在该半导体中就存在大量的自由电子载流子，空穴是少数载流子，这种半导体就是N型半导体? ????????????????? ??????????图1.1.3 N型半导体结构 二、 P型半导体?? ????? 若在四价的硅或锗的晶体中少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子,因而在该半导体中就存在大量的空穴载流子,当然,其中还有少数由于本征激发而产生的自由电子，如图1.1.4所示。 ??? 需要指出的是,无论是N型还是P型半导体,都是呈电中性的。 ??? 综上所述： ??? 1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 ??? 2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由 电子和空穴对，故其有一定的导电能力。 ??? 3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。 ??? 4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。 ??? 5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关。 ? 1.1.3 PN结 一、PN 结的形成 ? ? 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动相较量,最终达到动态平衡的必然结果，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。 ? 二、PN结的单向导电性 1、PN结的偏置 ?? ?PN结加上正向电压（正向偏置）的意思都是：P区加正、N区加负电压。 ??? PN结加上反向电压（反向偏置）的意思都是： P区加负、N区加正电压。 2、PN结正偏 如上图1.1.6所示,当PN结正偏时，外加电源形成的电场加强了载流子的扩散运动，削弱了内电场，耗尽层变薄，因而多子的扩散运动形成了较大的扩散电流。用流程图表述如下：PN结正偏外电场削弱内电场? 耗尽层变薄?扩散运动漂移运动多子扩散运动形成正向电流 。3、PN结的反偏 ??? 在PN结加反向偏置时,如