TFT阈值电压漂移机理和其在驱动OLED显示中的补偿设计.pdfVIP

TFT阈值电压漂移机理和其在驱动OLED显示中的补偿设计.pdf

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第! 卷# 第$ 期 液# 晶# 与# 显# 示 ;.2 !,=. $ !%% 年% 月 ’()*+,+ -./0*12 .3 4)5/)6 ’07,812, 1*6 9),:217, ?8@ ,!%% 文章编号:%%AB!AC% (!%% )%$B%DEB% 1BF)G HBIJI 阈值电压漂移机理及其在 驱动4K9 显示中的补偿设计 ,! ,! ,L ,L 刘金娥 ,廖燕平 ,荆# 海 ,张志伟 ,付国柱 ,邵喜斌 (@ 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 北方液晶工程研究开发中心,吉林 长春# L%%LL ,KBM1)2 :2)/N)*+O% P L @ ?.M ; ! @ 中国科学院研究生院,北京# %%%LE ;# L @ 吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林 长春# L%%LL ) 摘# 要:分析了1BF)G HBIJI 阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到F)= G H ! 栅绝缘层和1BF)G H 中亚稳态的产生对IJI 阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生 的特点,并针对驱动4K9 的两管1BF)G HBIJI 像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的 重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补 偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管IJI 中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保 持在一个动态平衡的过程,来实现驱动4K9 电流稳定的目的。 关# 键# 词:4K9 ;1BF)G HBIJI ;阈值电压漂移;电荷注入;亚稳态;补偿方法 中图分类号:I=CAL@ L ;I=L!@ $# # # 文献标识码:Q 电子迁移率,已广泛地应用在 QTB4K9 显示 # 引# # 言 [$ , ] 中 。但由于多晶硅自身的特点即存在晶粒间 有机电致发光器件(4K9 )作为新一代的显 界和大量的间界缺陷态密度,造成各个IJI 的阈 示器件,因其具有自发光、快速响应、宽视角和可 值电压不一致,导致4K9 发光亮度不均匀,造成 [ R L ] 制作在柔性衬底上等独特特点 引起了人们广 各像素灰度偏差,从而影响画面显示质量。通过 泛的兴趣。预计在今后几年内,4K9 将在手机、 设计D 个IJI 的像素驱动电路来替代两个 IJI 个人数字助理器(S9Q )、数码相机、车载显示和 的像素驱动电路能补偿这种阈值电压的不一致 [A ] 笔记本电脑上得到广泛应用,对目前以4’9 为主 性,但同时不可避免地要增加工艺的复杂性 。 流的几乎所有平板显示将构成严峻挑战。 非晶硅薄膜晶体管(1BF)G HBIJI )作为一种重要的 4K9 为电流驱动主动发光型器件,按驱动 电子器件在液晶显示、矩阵图像传感器等方面已 方式可分为无源矩阵有机电致发光器件(STB

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