外电场作用下SixNy(x,y=1,2)分子的激发特性.pdf

摘 要 近年来，随着光电集成电路的发展，对发光材料的研究越来越受到重视，传统的发 光材料存在技术难度大，价格高及硅体晶格匹配困难等缺陷。自Canham发现室温下多 孔硅的发光现象以后，人们又掀起了研究硅基发光材料的浪潮。目前，实验研究显示硅 基材料的发光光谱己覆盖了从红外、可见到紫外的宽广范围，但是相关的理论研究还相 对滞后。材料的微观分子结构还不是很清楚，其发光原理也仍存在很大的争议，而外场 作用下分子的激发特性研究又是研究物质发光现象的关键。目前现有的文献主要从理论 上研究了无外场作用下分子基态的一些性质，而对分子外电场作用下的结构及激发特性 研究还较为少见。因此，从分子水平上研究硅基材料在外场作用下的结构及激发特性是 非常重要且有意义的。 本文对一些氮化硅分子的微观结构进行了研究，并对其分子结构及分子激发特性在 行。密度泛函理论DFT是研究分子基态及激发特性的有效而便捷的方法，所以，我们 得到分子稳定构型的基础上，然后再利用含时密度泛函TD—DFT方法，分别研究了Si，N。 分子在有无外电场作用下的激发特性，进而分析了分子的跃迁振子强度、跃迁矩阵元、 激发态能量及其吸收光谱的波长等，从而从理论上分析了SiN分子发光的可能性及机 理，并将理论计算结果与实验值相比较，验证了分子的发光特性。而对于(SiNN，Si2N) 分：子在无外电场作用下的发光特性研究研究，首先进一步证明了分子的结构及结构常数 Si2N)分子无外电场作用下的发光机理，进而又研究了分子外电场 同时验证7(SiNN， 作用下分子发光特性。 关键词：SixNy分子，密度泛函，激发态，外电场 ABSTRACT Inrecent the of luminescence integratedcircuits，researching years，谢t11developmentphotoelectric materialshasbecomemoreandmore are difficultieson fortraditional important．Theremany technologies andSOon． luminescence anditis tofindthe lanceforthem materials，like difficulty highprice compatible researchthesilicon-basedluminescencematerialssinceCanhamfoundthe Moreandmorescientiststart siliconcanemissionvisible luminescencefiomsilicon-basedmaterials porous light．Atpresent，researching undertheactionofexternalelectricfieldor fieldhasbeenan research is light importantsubject．Itproved thatazotizedsiliconmaterialsale silicon-basedmaterialsluminescence important forthe luminescen