CS4N60 硅N 沟道功率MOSFT - 潍坊市汇川电子有限公司.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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CS4N60 硅N 沟道功率MOSFT - 潍坊市汇川电子有限公司

CS4N60 CS4N60 硅沟道功率 N MOSFT TO-251 Description CS4N60是N沟道功率MOSFET。具有开关速度快，低门电荷，通态电阻低等特点。通常应用于高速开关电源、 PWM 电机控制、直流转换器和桥电路 TO-252 等器件。 Features TO-220 ·V =600V DSS ·I 4A D ·R ＜2.5Ω(V =10V) DS(ON) GS 1.Gate 2.Drain 3.Source 潍坊市汇川电子有限公司地址：安丘市经济开发区电话：0536-4930586 传真：0536-4930589 CS4N60 1、最大额定值除非另有规定，T =25℃c Symbol Parameter Value Unit VDS 漏源反向电压 600 V VGS 栅源电压 ±30 V ID 连续漏极电流 4.0 IDM① 脉冲漏极电流 16 TO-251/252 50 PD 耗散功率 W TO-220 106 dv/dt③ 峰值二极管恢复dv/dt 4.5 V/ns EAS② 单脉冲雪崩能量 260 mJ EAR① 重复雪崩能量 10.6 IAR① 雪崩电流 4.4 mJ Tj 结温 150 ℃ Tstg 贮存温度 -55~150 ℃ 注： 1.脉冲宽度受T 限制J 2.L=30mH,I =4A,V =50V,R =25Ω,T =25°C开始 AS DD G J 3.I ≤4.4A,di/dt≤200A/μs,V ≤BV