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加速度计作为拾MEMS音器实现乐器音效完美.PDF

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加速度计作为拾MEMS音器实现乐器音效完美

用MEMS加速度计作为拾 这些MEMS结构的尺寸为微米量级(图2),故需要精度极高的半导 体光刻和蚀刻工艺技术。MEMS结构通常采用单晶硅形成,或者采 音器实现乐器音效完美 用以极高的温度沉积到单晶硅晶圆表面上的多晶硅。采用这一灵活 的技术可以形成机械特性差异很大的结构。其中一个可以控制和可 再现 改变的机械参数是弹簧刚度。设计中还可以改变传感单元的质量以 及结构阻尼。传感器可以实现从零点几个g到数百个g加速度的感应, 作者:Rob O’Reilly, Alex Khenkin, Kieran Harney 其带宽高达20kHz。 引言 MEMS1 (微机电系统)利用专为半导体集成电路所开发的制造工艺 设施实现生产制造。微机电结构的实现方法是通过在半导体基片上 刻蚀特定的图形,来实现传感器单元或者可以移动零点几微米的机 械执行器。MEMS压力传感器是第一类批量应用的产品,如今用于负 责监测数以亿计的发动机歧管和轮胎的压力;而MEMS加速度计则用 于安全气囊、翻滚检测以及汽车报警系统,时间也已超过15年之久。 图3. ADXL202 ±2 g加速度计。 2 MEMS加速度计 还用于消费电子领域里的运动感应,如视频游戏与 MEMS传感单元可以被连接到位于同一芯片(图3)或者不同芯片(图 手机。MEMS微镜光学执行器用于投影仪、HDTV以及数字影院。近几 4)上的信号调理电路。对于单芯片解决方案,传感单元的电容可以 3 年,MEMS麦克风 也开始进入广阔的消费市场,包括手机、蓝牙耳机、 低至每g 1-2毫微微法拉,这相当于10-18F的测量分辨率!而在双芯片 个人计算机以及数码相机等。 架构中,MEMS单元的电容必须足够高,以克服MEMS和ASIC调理电 本文将讨论MEMS加速度计产品中所采用的一些关键技术,并讨论 5 路之间连接线的寄生电容影响。 这些技术如何为声学传感器带来新应用。 WAFER MEMS CHIP-TO-CHIP INTEGRATED CAP SENSOR WIREBOND CIRCUIT CHIP MEMS加速度计技术 GLASS FRIT DIE 典型的MEMS加速度计的核心单元是一个由两组指状栅条组成的可 ATTACH 移动条形结构:其中一组固定到基片上一个实体地平面上;而另一 组则连接到一个安装到一组弹簧上的质量块上,该弹簧能够根据所 PACKAGE LEAD FRAME 施加的加速度产生移动。所施加的加速度(图1)将改变固定和移动 4

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