GaAs_InP异质材料及MESFET器件研究pdf.PDF

第 41 卷 　第 6 期 ( ) Vol. 41 　No. 6 厦门大学学报 自然科学版 　2002 年 11 月 Journal of Xiamen University (Natural Science) Nov. 2002 　 ( ) 文章编号 2002 GaAsInP 异质材料及 MESFET 器件研究 1 1 2 1 1 1 陈小红 ,陈松岩 ,张玉清 ,林爱清 ,陈丽容 ,邓彩玲 ( 1. 厦门大学物理系 ,福建 厦门 361005 ; 2. 信息产业部电子第十三研究所 ,河北 石家庄 050051) ( ) 摘要 : 用低压金属有机气相外延 LPMOCVD 在 InP 衬底上生长出较高质量的 GaAs 材料 ,并对材料进行 Raman 、光 ( ) 致发光 PL 谱的测试分析 ,结果表明在 GaAsInP 外延层中存在伸张应力致使 Raman 的LO 模式的频率红移 ; PL 谱峰 较强 ,16 K 下测到 GaAs 的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了 GaAs 外延层的晶体质量较好. 以此生长方法制备 ( ) 了金属半导体场效应晶体管 MESFET ,其单位跨导可达 200 msmm. 该器件已经达到 GaAs 同质结构的器件水平. 关键词 : GaAs/ InP 异质材料 ;光致发光谱 ;Raman 谱 ;金属半导体场效应晶体管 中图分类号: TN 325. 3 文献标识码 :A 　　　　　　　　　　　　　　　 ( ) 　　Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料 GaAs 由于其本征载 力 ;对样品进行低温光致发光谱 PL 测试 , 测到 4 [1 ] 流子浓度比 Si 低约 10 ; 电子迁移率约是 Si 的 5 GaAs 的特征激子峰和杂质相关的激子峰 , 这表明 [1 ] 8 Ω [1 ] 倍 ; 电阻率高达 10 cm , 有利于降低寄生电 GaAs 外延层具有较好的晶体质量. 在此基础上又制 容 ,减少漏电流 ;便于微细加工以实现大规模集成等 备出单位跨导达 200 msmm 的 MESFET 器件 ,满足 优点 ,用该材料制备的功率器件 MESFET 已在微波 了光电集成的需要 ,为单片集成工艺探索提供了有 的各个领域中获得广泛应用. InP 材料因具有高饱 意义的参考价值. 和电子迁移率 ,高击穿电场 , 良好的热导率在光电子 器件中具有极大的使用价值. 而将 GaAs 与 InP 外延