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场效应晶体管中接触孔应力技术的研究 - 微电子学
第 卷第 期 微 电 子 学 ,
45 2 Vol.45 No.2
年 月
2015 4 Microelectronics A r.2015
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场效应晶体管中接触孔应力技术的研究
,
赵利川 闫 江
( , )
中国科学院 微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室 北京 100029
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摘 要 随着集成电路集成度的不断提高以及场效应晶体管尺寸的微缩 沟道载流子迁移率退化
, 。
越来越严重 通过沟道应力技术提升载流子迁移率从而提高性能的技术被广泛应用 介绍了接触
, 。
孔应力对沟道的影响 分析了接触孔与沟道间距离及源漏区外延厚度对沟道应力的影响 通过对
, 。
应力传导机制的分析 提出了通过调节侧墙材料和结构来优化沟道应力的方法
: ; ; ;
关键词 迁移率 沟道应力 接触孔应力 侧墙
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN305.99 A 1004-3365201502-0267-04
Stud ofContactStrainTechnolo inMOSFETs
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,
ZHAOLichuan YANJiang
( , ,
KeLaborator o MicroelectronicsDevicesandInteratedTechnolo Instituteo Microelectronics
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ChineseAcadem o Sciences Beiin 100029 P.R.China
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Abstract: ,
Withth
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