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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术 - 强激光与粒子束.PDF

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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术 - 强激光与粒子束

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 20 12 Vol.20 No.12     年 月 , 2008 12 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Dec. 2008     文章编号: ( ) 10014322200812210904   基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术 刘 鑫, 刘进元, 杨 方, 张凤霞           (深圳大学 光电子学研究所,广东 深圳 518060) 摘 要: 以高速 MOSFET器件为基础,对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的        高速 MOSFET与感应叠加相结合的形式,得到脉冲半宽度为 300ns、上升时间约为 60ns、时间间隔 600ns的 超快方波双脉冲;在负载电阻为 11.5Ω时,可以产生365A的脉冲峰值电流,并且能够提供 1.5MW 的峰值输 出功率。 关键词: MOSFET; 高压脉冲; 感应叠加; 脉冲变压器            中图分类号: TN386 文献标志码: A             放电开关在脉冲功率技术中具有重要的作用,传统的线性调制器采用充有惰性气体的闸流管作为开关元    件,这种闸流管虽然可以承受很高的电压,但其重复工作频率较低,稳定性差。随着电子技术的发展,出现了一 些以IGBT和高速 MOSFET作为开关元件的半导体固态调制器,这些开关器件具有工作频率高和触发稳定 性好等优点,但单个管子的耐压值和输出电流都不能满足实际应用的要求。为了克服这个缺点,出现了各种各 [ ] 13 样的电路结构,其中感应叠加形式的优点最为突出。国外较早地进行了相关技术的研究工作 : 研制 LLNL 的应用于DARHTII的开关调制器已完成了样机制造,其输出电压为20kV,脉冲前后沿小于20ns,可以产生 时间间隔 的 路方波信号,平顶宽度 之间连续可调。近几年,国内也开展了这方面的研究 600ns 4 30 200ns ~ [ ] 46 工作 ,其中,中国工程物理研究院流体物理研究所将两支 器件进行串并联,分别获得了 / MOSFET 130A 2 的并联输出及 / 重复频率脉冲串输出;中国科技大学国家同步辐射实验室采用感应叠加方

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