电阻存储器RRAM的可靠性研究.pdfVIP

摘 要 随着便携式电子设备的不断普及，人们对于高密度、高速度、低功耗以及低 成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前，Flash仍是非挥发存储技术的 主流，占据了非挥发存储器市场约90％的份额，但随着半导体工艺技术代的不断 推进，Flash遇到了越来越多的瓶颈问题，比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩 小而无限制地减薄。此外，Flash的其它技术缺点也限制了其应用，如操作电压 高、写入速度慢等。这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代非挥发存储技术， 称P洲)等，然而这些存储器又都各自存在着各自的缺点。 基于金属氧化物的电阻存储器RRAM由于其结构简单、成分精确可控、与 逻辑工艺兼容等优点，被认为是最具潜力的下一代非挥发存储技术。然而，电阻 存储器的研发还只是处于起步阶段，对它的电学性能可靠性以及测试系统所引发 的一系列可靠性问题的研究还有待进一步地深入展开。 本文系统研究了基于CuxO薄膜的电阻存储器的电学和测试方面的可靠性问 题，并分析了这些可靠性问题的产生原因，同时提出了相应的解决方案。首先， 本文针对RRAM数据保持能力(DataRetention)的电学性能可靠性问题展开了 研究，还提出了RRAM的一种失效机理模型。接着，本文研究了RRAM电学测 试过程中SET钳制电流装置所引发的RRAM可靠性问题，并首次通过自建的钳 制电流捕捉系统观察到了SET钳制电流过冲现象。最后，对全文进行了总结论 述，并对RRAM存储器的发展作了展望。 关键词： RRAM；电阻存储器；铜氧化物；可靠性；数据保持能力；钳制电流；失效机理 中图分类号：TN40 Abstract Withthe of electronic growingpopularityportable devices，people’Srequirement for andlow-costnonvolatileisalso memory high-density,high-speed,low-power is themainstreamofnonvolatile still memorytechnology, increasing．Currently,Flash forabout90％ofthenonvolatilemarket withthe accounting memory share，but continuousdownofsemiconductor is scaling technologynode，Flashexperiencing moreandmore asthethicknessofthe Cannotbe bottlenecks，such floatinggate decreased andslow voltage infinitely．Moreover,_highoperating programmingspeed limit ofFlash．Thishasforced tolookformore also the application people superior nonvolatile as RAM)， next—generation memory,such