对於电容式绝对压力传感器的制造本地化的Si-Au共晶体结合各地垫凹陷.PPT

局部的矽金共晶結合周圍凹陷襯墊用於製造電容式絕對壓力感測器 奈米三甲 組員:許筱詩 4a014004 鍾禮柔 4a014009 吳杰翰 4a014022 李宜柔 4a014046 陳靜怡 4a014077 林昱宏 4a014078 導師:莊承鑫教授 內容大綱 前言 介紹 設計構想 製造過程 結果與討論 前言 在陽極結合的過程中提出了一個方法，就是在墊凹陷接合處附近使用小部分的低熔點Si-Au來加強電容式壓力感應器的真空包裝過程。為了防止洩漏的金屬線，一個僅用於墊的新結構發展於金屬線結合墊凹陷在磁盤下面。它具有在矽晶片上打開的窗口的特徵是具有較小的尺寸比發生黏結墊板周圍的墊和共晶結合。 介紹 電容壓力感測器是其中一個最有潛力裝置，因為他有高敏感度，低耗能的結構及溫度變化小，因此在研究以及應用上都獲得了相當大的注意力，然而對於電容壓力感測器這種象徵性的類型來說，要如何透過矽跟玻璃間的接合處的外墊來跟電容電極結合而且還不會影響他的真空封裝過程是一大問題。 設計構想 在先前工作圖出現在（a）固定電極，如（b）所示，被圖案化的玻璃基板上，並分成兩部分。 在矽膜片的矩形形狀活性電極已對準的兩個分離的固定電極。 因此，感測器的電容是由兩個串聯分隔電容器C1和C2。 有沒有必要向轉換有源電極到腔體外側。 玻璃 凸面 矽 膜片 空洞 活性電極 連接配線 襯墊 固定電極 製造過程 結論 連接配線可引起在真空腔內的氣體洩漏。為了解決這個問題，我們建立了利用局部的Si-Au合金的新方法，周圍的凹陷填塞接合，以防止在陽極接合的洩漏。一批晶片的製造和結果證明，只要溫度可高達375?C接合和導線的連接和襯墊的台階高度小於50nm可獲得良好的密封真空包裝。此外，其他的金屬材料，其中共晶溫度是用陽極接合相容，也可採用在這種方法。 END