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有源器件和模拟电路基础－III
《射频集成电路设计基础》讲义
有源器件和模拟电路基础－III
电路噪声分析基础
fT 和fMAX
按比例缩小与短沟道效应
Scaling Down 对RFIC设计的影响
其它工艺
参考文献
东南大学射频与光电集成电路研究所, Oct-19, 2003 ↵
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电路噪声分析基础
• 电路元件的噪声模型
– 电阻
电阻中最主要的噪声源是热噪 v2 v 2 = 4kTR∆f
n n
声，有些电阻也存在闪烁噪声， R i2
R n i2 = (4kT⁄ R )∆f
理想的电感电容不产生噪声，噪 n
声来自它们的寄生电阻
– 二极管
a
这里主要是散弹噪声(shot noise)， 2 ID
i = 2qI ∆f + K ∆f
也有闪烁噪声(flicker noise)，有时 d D f b
2
也包括串联电阻的热噪声。 ID rd id VT kT
r = =
模型中的rd 为小信号电阻 d ID qID
射频集成电路设计基础 有源器件和模拟电路基础－ III 电路噪声分析基础 ↵
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– 三极管
2
vb C
r µ
b r
o
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