镧掺杂BaSnO_3薄膜的电学和光学特性_费潇.pdfVIP

网络出版时间：2015-09-11 09:38:31 网络出版地址：/kcms/detail/11.1958.O40938.002.html 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 20 (2015) 207303 镧掺杂BaSnO 薄膜的电学和光学特性 费潇 罗炳成 金克新 陈长乐 (西北工业大学理学院, 凝聚态结构与性质陕西省重点实验室, 西安 710072) ( 2015 年6 月2 日收到; 2015 年6 月25 日收到修改稿) 利用射频磁控溅射法在(LaAlO ) (SrAl Ta O ) (001) 单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO 外延 薄膜. 通过Hall 效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO 薄膜具有n 型简并半导体特征, 并且基于载流子浓 度和Seebeck 系数计算出电子的有效质量为0.31 ( 为自由电子质量). 镧掺杂BaSnO 薄膜在可见波段 具有良好的透明性(透过率大于73%). 基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合, 从拟合结果中不仅得到 了薄膜的厚度为781.2 nm、能带宽度为3.43 eV, 带尾宽度为0.27 eV 和复光学介电常数随波长的变化规律, 而 且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性. 关键词: 镧掺杂BaSnO 薄膜，载流子有效质量，光学性质 PACS: 73.50.–h, 73.50.Lw, 71.10.Ca, 78.20.Ci DOI: 10.7498/aps.64.207303 优异的热稳定性. La 掺杂BSO 薄膜具有如此优异 1 引 言 的电学性能, 因而受到越来越多科学工作者的关 注. 在电学特性方面, 已有的研究工作更多的是 钙钛矿结构氧化物具有丰富的物理特性, 包括 关注La 掺杂BSO 薄膜的载流子浓度、迁移率和电 高温超导电性、铁电/压电特性、磁电阻特性、多铁 阻率, 对其载流子有效质量的研究不多. 而载流子 性等, 是目前研究最广泛的功能材料之一. 随着钙 的有效质量是理解其高迁移率起源的关键因素之 钛矿微结构中新奇光电特性的发现12 和钙钛矿 一. Hadjarab 等12 从La 掺杂BSO 的磁化率中计 3 结构光伏电池的蓬勃发展 , 钙钛矿结构的透明导 算出电子的有效质量为3.7 ( 为自由电子的 电氧化物激发了科学工作者极大的兴趣, 因为它们 质量), 而Seo 等13 利用光谱学方法推导出La 掺杂 具有与其他钙钛矿材料在晶格和能级匹配上的优 BSO 薄膜中电子的有效质量为0.35 . 可以看出 异性, 利于提高全钙钛矿光电器件的性能. 碱土金 从非电学方法中计算出来的电子有效质量在数值 属锡酸盐 SnO ( Ca, Sr 和Ba) 是一类宽禁 上是有明显差异的, 因此有必要单纯从电学参数测 带钙钛矿结构氧化物, 其中BaSnO (BSO) 具有 量中确定其电子的有