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- 2017-07-17 发布于四川
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电子工程物理基础
例3 Hight-Field Effects 1 欧姆定律的偏离 二.强电场效应 解释: * 载流子与晶格振动散射交换能量过程 * 平均自由时间与载流子运动速度的关系 平均自由时间与载流子运动速度关系 (1)无电场时: 载流子与晶格散射,交换的净能量为零,载流子与晶格处于热平衡状态。 (2)弱电场时: 平均自由时间与电场基本无关 加弱电场时,载流子从电场获得能量,与声子作用过程中,一部分通过发射声子转移给晶格,其余部分用于提高载流子的漂移速度。但漂移速度很小,仍可认为载流子系统与晶格系统近似保持热平衡状态。 (3)强电场时: 平均自由时间由两者共同决定。 载流子的平均能量比热平衡状态时的大,因而载流子系统与晶格系统不再处于热平衡状态。 加强电场时,载流子从电场获得很多能量 载流子从电场获得的能量与晶格散射时,以光学波声子的方式转移给了晶格。所以获得的大部分能量又消失,故平均漂移速度可以达到饱和。 (4)极强电场时: (1)Intervalley Scattering ( 能谷间散射) 2. GaAs能谷间的载流子转移 物理机制: 从能带结构分析 n1 n2 *Central valley *Satellite valley 中心谷: 卫星谷: 谷2(卫星谷): E-k曲线曲率小 1 电场很低 2 电场增强 3 电场很强 (2 ) Negetiv
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