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例3 Hight-Field Effects 1 欧姆定律的偏离 二.强电场效应 解释： * 载流子与晶格振动散射交换能量过程 * 平均自由时间与载流子运动速度的关系 平均自由时间与载流子运动速度关系 (1)无电场时： 载流子与晶格散射，交换的净能量为零，载流子与晶格处于热平衡状态。 (2)弱电场时： 平均自由时间与电场基本无关 加弱电场时，载流子从电场获得能量，与声子作用过程中，一部分通过发射声子转移给晶格，其余部分用于提高载流子的漂移速度。但漂移速度很小,仍可认为载流子系统与晶格系统近似保持热平衡状态。 （3）强电场时： 平均自由时间由两者共同决定。 载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子系统与晶格系统不再处于热平衡状态。 加强电场时，载流子从电场获得很多能量 载流子从电场获得的能量与晶格散射时，以光学波声子的方式转移给了晶格。所以获得的大部分能量又消失,故平均漂移速度可以达到饱和。 （4）极强电场时： （1）Intervalley Scattering ( 能谷间散射） 2. GaAs能谷间的载流子转移 物理机制： 从能带结构分析 n1 n2 *Central valley *Satellite valley 中心谷： 卫星谷： 谷2（卫星谷）： E-k曲线曲率小 1 电场很低 2 电场增强 3 电场很强 (2 ) Negetive differential conductance(负微分电导) NDC 在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小 负的微分电导（negetive differential conductance） NDC 热载流子 强电场 速度饱和 进入介质层 碰撞电离 3. 强电场效应对器件的影响 阈电场（threshold field） 对于GaAs： 实验现象： Gunn effect (耿氏效应) 初始 掺杂低，电阻率较大。A区内有较大压降。 初始 掺杂低，电阻率较大。A区内有较大压降。 形成电子积累层（A左）和正电中心构成的电子耗尽层（A右） 高场畴区 偶极畴 畴区电场与外加电场方向一致 畴内电场不断变强，畴外电场不断减弱 高场畴边增长，边漂移 稳态畴漂到达阳极 稳态畴 （完成1个周期） 第4章 半导体中电子的状态 4.1 电子的分布 4.2 载流子的调节 4.3 载流子的复合 4.4 载流子的散射 4.5 载流子的漂移 4.6 载流子的扩散 4.7 载流子的完整运动 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的电子数） 4.6 载流子的扩散（Diffusion） 一.净扩散 载流子依靠浓度梯度所产生的一种定向运动。 Dn--电子扩散系数cm2/s（ electron diffusion coefficients） 扩散定律 电子的扩散电流密度 ？ ——单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数 在x附近，单位时间、单位体积中积累的电子数——积累率 稳态时，积累=损失 稳态扩散方程 三维 球坐标 一维求解 （1）若样品足够厚 讨 论 （2）若样品厚为W（W ∞) 并设非平衡少子被全部引出 则边界条件为： ?n(W)=0 ?n(0)= (? n)0 得 若WLn 相应的 Sn=常数 无复合 小结 样品很厚 样品很薄 扩散流密度 积累=复合 稳态扩散方程 通解 空穴的扩散电流密度 电子的扩散电流密度 扩散电流密度 样品很厚 样品很薄 样品足够厚WLn, Lp 样品足够薄W Ln, Lp 速度量纲 第4章 半导体中电子的状态 4.1 电子的分布 4.2 载流子的调节 4.3 载流子的复合 4.4 载流子的散射 4.5 载流子的漂移 4.6 载流子的扩散 4.7 载流子的完整运动 散射是指运动粒子受到力场（或势场）的作用时运动状态发生变化的一种现象 处理晶体中的电子时，通常将周期势场的影响概括在有效质量中，这使得晶体中的电子可以被看作为有效质量为m*的自由电子。因此，不存在散射，但是原周期势场一旦遭到破坏 ，就会发生散射了 4.4 载流子的散射 载流子散射的概念 半导体中的载流子在无外电场作用时，无规则热运 动会使载流子与格点原子、杂质原子（离子）和 其它载流子发生碰撞，用波的概念就是电子波在 传播过程中遭到散射 当外电场作用于半导体时，载流子一方面作定向漂 移运动，一方面有遭到散射，因此运动速度大小 和方向不断改变，漂移速度不能无限积累，即电 场对载流子的加速作用只存在于连续的两次散射 之间 *