张宝林-《半导体物理》[答案-全].pptxVIP

3.1 在硅中，导带极小值附近的电子能量可以写成:;(2)设E(k)为固定值E0， 分别令kz=0, ky=0则得到以下①和②两个式子：;3.2设晶格常数为a的一维晶体，导带极小值附近的能量EC(k)为：;解： (1)禁带宽度Eg=导带极小值ECmin-价带极大值EVmax,因此要先求出ECmin、EVmax;(2)按照电子有效质量的定义：;3.3 证明：能量为 的电子，在磁场 中的回旋频率为 . ;3.7在一维情况下,(1)利用周期性条件证明：表示独立状态的k值数目等于晶体的晶 胞数；(2)设电子的能量为 ,并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向. 试证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数为:;(2)我们知道一个倒原胞体积内有N个独立状态,考虑自旋,应为2N个独立状态，因此一维空间中单位长度上的状态数为： ;3.9 设硅晶体中电子的纵向有效质量为ml，横向有效质量为mt, (1)如果外加电场沿[100]方向，试分别写出在[100]和[001]方向能谷中电子的加速度； (2)如果外加电场沿[110]方向，试求出[100]方向能谷中电子的加速度与电场之间的夹角。;同理在[001]能谷中，;所以有：;4.2 T = 40K 时该掺杂半导体处于杂质弱电离区，因此有： ;4.3 室温下硼杂质处于饱和电离区，而且 , 本征激发可以忽略。 ;4.4 室温下认为锗中施主已经饱和电离，但是 ;4.6 工作温度的上限要确保，高温导致的本征激发载流子仍然占少数， ;符合条件，保证本征载流子占少数。;4.7 施、受主杂质均饱和电离， ;4.9 室温下费米能级和施主能级重合，我们可以判断其为N型半导体；室温下，一般认为本征激发产生的载流子不占主导，因此： ;5.1 电子的平均动能为3kT/2，若有效质量为0.2m，试求室温时电子热运动的方均根速度。设电子的迁移率为1000cm2/V?s，算出102V/cm电场下的漂移速度，并把它与上面的结果作比较。;5.2 300K时，Ge的本征电阻率为47??cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/V?s和1900cm2/V?s ，试求本征Ge的载流子浓度。;5.3 设Si的电子和空穴迁移率分别为1350cm2/V?s和480cm2/V?s 。试计算本征Si的室温电导率，当掺入亿分之一(10-8)的As以后，如果杂质全部电离，电导率应是多少？它比本Si的电导率增大了多少倍？;原子密度为：;5.4 在室温下为了把电阻率为0.02??cm的N型锗片变成： (1) 电阻率为0.01 ??cm的N型锗片； (2) 电阻率为0.02 ??cm的P型锗片，各需要掺入何种类型的杂质，其浓度是多少？ 提示：可用图5.7(b)查出电阻率与杂质浓度的对应关系。;(2)图5.7对于P-Ge而言，当r3=0.02??cm，受主浓度为;5.5 由于在一般的半导体中电子和空穴的迁移率不同，所以在电子和空穴数目恰好相等的本征半导体中不显示最高的电阻率。在这种情况下，最高的电阻率是本征半导体电阻率的多少倍？若mnmp，最高电阻率的半导体是N型还是P型？;本征半导体的电阻率为;5.6 一个InAs样品，室温时的空穴浓度为电子浓度的9倍，试计算Hall系数，并指出样品的导电类型。在此问题中能否根据Hall系数的正负来判断导电类型？设室温时b=mn/mp=100，ni=1.1×1016cm-3(取Hall因子r=1)。;(2)样品的导电类型为P型，因为pn。;5.7 对于P型样品，设T=T0时，霍尔系数R(T0)=0,电导率s(T0)=s0，试证明：;5.8 某半导体样品中电子迁移率为1200cm2/V﹒s，空穴迁移率为400cm2/V﹒s，若测得霍尔系数为零，问这时流过样品的电流中空穴电流占的百分比是多少？;7.1 用光照射N型半导体样品(小注入)。假设光被均匀地吸收，电子-空穴对的产生率为G，空穴的寿命为t。光照开始时，即t=0，Dp=0，试求出： 光照开始后任意时刻t的过剩空穴浓度Dp(t); 在光照下，达到稳定态时的过剩空穴浓度。;;7.2 施主浓度Nd=1015 cm-3的N型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子Dn=Dp=1014 cm-3。试计算这种情况下准费米能级的位置，并与原来的费米能级作比较。 ;即：Efn 在导带底之下约0.26 eV处，Efn与Ef 之差非常小，约为2.5 meV。 ;即：Efp 在价带顶之上约0.3 eV处，Efp与Ef 之差非常大，约为0.52 eV。 ;7.3 计算下列两种情况下的介电弛豫时间： 本征硅； 掺有1015 cm-3施主杂质的硅(硅的相对介电常数为1