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雷射二極體 組員：謝宇君 (4973A901) 林世彬 (4973A041) 老師：王俊凱 目錄 何謂雷射二極體 雷射二極體的工作原理 雷射二極體的基本結構 雷射二極體的應用 雷射二極體未來發展趨勢 何謂雷射二極體  雷射二極體(laser diode)或稱半導體雷射(semiconductor laser)具有體積小、耗電少、反應快、耐衝撞、壽命長、效率高及價格低等優點。 由於製作精細，技術層次高， 生產設備昂貴, 元件價格卻低廉，應用範圍十分廣泛，因此，雷射二極體是光電產業極重要的關鍵性元件。 雷射二極體的工作原理 當p-n接面外加一正向偏壓(p接正，n接負)後，p區之電洞和n區之電子不斷的注入p-n接面，破壞了原來之熱平衡狀態，在p-n接面就出現了兩個費米能階，如下圖所示 P-N接面外加偏壓後之能帶分布圖 加正向偏壓後載子分布及能帶圖 當pn接面正向偏壓時，空乏區的寬度及位障的高度都會減少。此時擴散作用增強，n區的自由電子和p區的自由電洞就能克服位障的阻擋而穿過pn接面，擴散運動將超過漂移運動，從p區到n區產生淨電流。 在電子與電洞的擴散運動中產生復合作用，並釋放出光能，發射出光。 當外加之正向偏壓足夠大時，將使pn接面處於粒子數反轉分布狀態，即出現受激輻射大於吸收，此時可產生光之放大作用，被放大的光在pn接面中之光學共振腔(作用層中之兩個晶面所形成)中來回反射，不斷增強，當滿足臨界值條件，即可產生雷射光 雷射二極體的基本結構 雷射二極體和一般二極體有著相似的P-N接面結構，其主要差異在於雷射二極體具有一對鏡面作為共振腔。 依結構可分為:同質結構、單異質結構、雙異質結構。 同質結構LD 早期的雷射二極體其結構最為簡單，其雷射光從P-N接面處發出，由於P和N型都為同質半導體，也稱為均質半導體。因對光及注入電流的控制太差，且只能低溫下操作，因此實用性不佳。(如下圖所示) 同質結構LD 單異質結構LD 單異質結構是就是針對同質結構的缺點發展出來的，如下圖所示: 單異質結構LD 在單異質結構中，由於能隙寬度較大之砷化鋁鎵存在，使得p-砷化鎵和p+-砷化鋁鎵交接面上就出現了一個高位障，使電子不能越過交界面而被局限在p-砷化鎵內，這樣會使其電子濃度變大，從而使受激輻射光大增。另一方面，由於砷化鋁鎵之折射率較低，在交界面處就形成了一高反射層，使得光之損耗降低，因而提高了光之輸出功率，也使得臨界電流降低。 雙異質結構LD 反應區兩邊都由能隙大的材料組成，例如: P行砷化鎵活性層是夾在P行砷化鋁鎵和N行砷化鋁鎵之間，由於砷化鋁鎵可以同時限制注入電流的電子與電洞，且兩面可防止雷射光由共振腔周圍逸散，因此提高其效率，因前商品化的半導體雷射多採用此種結構。 雙異質結構LD 雷射二極體的應用 半導體雷射依波長及應用可分為發光波長由390奈米到950奈米的短波長和由980奈米到1550奈米的長波長兩大類。 但如果從波長及操作功率來分類的話，從短波長到長波長可細分為以下兩類: 短波長雷射泛指發光波長由390nm至950nm之雷射，主要使用於光碟機、掃描器、雷射印表機、條碼機及指示器等光資訊及顯示應用。 長波長雷射則是泛指發光波長由980nm至1550nm之雷射，此波段的雷射二極體主要以砷化鋁鎵銦和磷砷化鎵銦材料系列所製成，主要用於光纖通訊。 雷射二極體未來發展趨勢 短波長: 波長越短，其聚焦光點，這表示可以讀寫 更小面積的資料因此同大小的光碟片儲存 量就會增加。 高功率: 高功率代表信號增強，作用反映等候時間 時間縮短，自然可以得到較高的品質與速 度。 演講結束，謝謝大家。 參考資料 .tw/optolink/optolink_pdfpdf .tw/jmhwang/newsfile/Laserintro.htm .tw/products/opto_device/laser_diode/ld-gaiyou.html .tw/Physics/htm/lab/yentclab/Team/DaLongHP/SC/SC.html .tw/upfiles/ADUpload/c23_downmul1277487559.pdf .tw/upfiles/ADUpload/c23_downmul1277487559.pdf http://www.hightech.url.tw/index.php?option=com_contentview=articleid=236:ldlaser-diodecatid=18:2010-06-13-14-