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单极PFC原理及应用.pdf
单极PFC-原理图
TPH3006PS
TPH3206PS
TPH3002PS
TPH3202PS
DS2 CS2
TPH3205WS
L1 LS TPH3206LD
L1
D1
+ +
TPH3202LD
VIN DS1 C1
CS1
Q1
单极PFC通常工作在CCM硬开关模式。
此时要求开关损耗小。
氮化镓由于它超低的米勒电容Qgd使它
的开关损耗大大降低。
硅材料FET /cool mosfet 氮化镓
硬开关电路上的Vds开关损耗对比，氮化镓有明显优势
但LLC是软开关，这部分电路上损耗几乎一样。
氮化镓
氮化镓FET – HEMT
1,氮化镓与传统的硅MOS不一样，体内没
有形成PN结，即没有体内二极管，故没
有反向恢复的问题。
2，D,S间的导体是通过中间的电子层导
通，双向可导通，即常开/Normally On
3，当G极加负压时D,S间关断。实际应用
不方便（需加负压）
解决的办法，就是在体内串加一个30V的低压
MOSFET解决0V关断5V导通，因此成品体内实
氮化镓是采用水平结构,通过电子层导 际有两个管子，资料上的反向恢复时间均与此小
通没有形成P/N结，同时最下方是衬
底 MOSFET上的二极管有关。
氮化镓FET与Cool‐Mosfet对比
等同Rds(on)对比,相同条件 Cool mosfet 氮化镓FET
Parameters IPA60R160C6 TPH3006PS
⁰
Static VDS 600V @ 25 C 600V (spike
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