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シリカガラスの分子動力学シミュレーション 福井大学 工学部 葛生 伸 * * シリカガラスの分子動力学シミュレーション 体積 （密度) の温度依存性 表面の構造 体積の温度依存性 一般的のガラス シリカガラス R.Brückner, J.Non-Cryst.Solids 5, 123, 1970 D. R. Perchak and J. M. O’Reilly, J.Non-Cryst.Solids 167, 211　(1994) 以前の研究 ポテンシャル B.P.Feuston, S.H.Garofalini, J.Chem.Phys. 89, 9, 1988 2.50 2.34 0.725×10-9 1.10×10-9 0.29 0.29 IP AP O – O 2.50 2.34 2.96×10-9 3.00×10-9 0.29 0.29 IP AP Si – O 2.50 2.29 1.88×10-9 1.88×10-9 0.29 0.29 IP AP Si – Si βij /? Aij /erg ρij /? 2.8 2.0 19×10-11 0.3×10-11 3.0 2.6 O – Si – O Si – O – Si ri /? λi /erg ric /? u2中のパラメタ u3中のパラメタ IP: 等方ポテンシャル (u2のみ) AP: 異方性ポテンシャル (u2+u3) 温 度 履 歴 0 1 2 3 4 2000 4000 6000 8000 Time (ns) Temperature (K) 1 step = 0.1 ns 10-15s Δt 432 O 粒子数 216 Si 粒子数 各条件での密度の温度依存性 密度の温度履歴 Isotropic 105 Pa 結合角分布の温度依存性 （常圧等方性ポテンシャル) 結合角分布の温度依存性 （加圧異方性ポテンシャル) 結合角分布の温度依存性 （常圧異方性ポテンシャル) 結合角分布の温度依存性 （加圧等方性ポテンシャル) 配位数分布の温度依存性 配位数分布の温度依存性 密度の仮想温度依存性温度依存性 各温度から300 Kまで急冷前後密度依存性 結合角分布の仮想温度依存性 （常圧等方性ポテンシャル) 結合角分布の仮想温度依存性 （加圧異方性ポテンシャル) 配位数分布の仮想温度依存性 シリカガラス表面の分子動力学シミュレーション 表面では欠陥構造が多数 ? 原子間の電荷の移動 ? 電荷平衡法により考慮 シリカ表面の分子動力学シミュレーション ポテンシャル Morse-Stretch ポテンシャル + クーロンポテンシャル 8.8022 45.9970 1.6148 Si-O 11.7139 0.2956 3.4103 Si-Si 10.4112 0.5363 3.7835 O-O γ D0 (kcal/mol) R0 (?) 原子間の電荷移動効果 電荷平衡 (QEq)法 原子 i の化学ポテンシャル 平衡条件 電荷の保存 基礎方程式 4.168 Si 8.741 O ?i0 (eV) 電荷平衡 (QEq) 法の基礎方程式 クーロン積分 Ai: 規格化因子，ni: 主量子数，zi: 定数 クーロン積分 r / ? J(r) / eV O-O O-Si Si-Si 14..4 / r