第8讲主存储器.ppt

* * 计算机组成原理 Principles of Computer Organization 广义双语教学课程 09/skyclass25/ 青岛理工大学 校级精品课程 /ec/C84/ 第4章 主 存 储 器 Chapter 4 Main Memory A word in memory is an entity of bits that move in and out of storage as a unit. A memory word is a group of 1’s and 0’s and may represent a number, an instruction code, one or more alphanumeric characters, or any other binary-coded information. A group of eight bits is called a byte. 随机(读写)存储器Random Access Memory (RAM) 只读存储器Read Only Memory (ROM) PROM 可编程序只读存储器 掩膜ROM EPROM 可擦除的可编程序只读存储器 E2PROM 电可擦除的可编程序只读存储器 Flash Memory 快闪存储器（电可擦除） 保存信息的原理： 双极型 MOS型 SRAM：触发器 DRAM：MOS管的栅极电容。 SRAM Static RAM DRAM SRAM Dynamic RAM 现代计算机的主存储器都是半导体存储器IC。 半导体RAM在断电后数据会丢失，属于易失性(Volatile)存储器 只读存储器属于非易失性(Non-volatile)存储器。 §4.1 主存储器分类、技术指标和基本操作 主存储器的可寻址的最小信息单位是1个存储字（存储单元）。 1、存储容量 Memory Size / Capacity 1M=220 =1024K=210 K 1G=230 =1024M=210 M 1T =240 =210 G 存储器的容量通常表示为：m字×k位。 例如，1个4096×32的存储器芯片的容量就是 16 KB。 存储单元 Memory Location 可寻址单元 Addressable Location 地址空间 Address Space CPU的地址线 容量单位：字节Byte，字Word，位bit。 1 Byte =8 bit 主存储器的主要技术指标 主存储器容量 SM = W · l · m =存储器字长×每个存储体的字数×并行工作的存储体个数 主存储器用于暂时存储CPU当前正在使用的指令和数据。 2、存取速度 ⑴ 存取时间Ta （访问时间， Memory Access Time ） 由系统规定 取决于存储器芯片 从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 ⑵ 存储周期 Tm （读写周期，Memory Cycle Time） 连续启动2次独立的存储器操作所间隔的最小时间。 一般Tm Ta Bm是存储器被连续访问时可以提供的数据传输率（bit/s） ⑶ 主存带宽Bm 提高主存带宽的措施： 缩短存取周期，增加存储字长W，增加存储体。 Bm= W/Tm 当总线宽度w与存储器字长W不一致时，Bm= w / Tm 主存储器的基本操作 处理器 地址寄存器AR 数据寄存器DR 主存储器 地址总线 数据总线 控制总线 R/W 主存储器的读写时序 1．存储器读的时序 处理器把要访问的存储单元地址送上地址总线，发存储器读命令 存储器读周期 被选中的存储器芯片对地址译码，打开三态门将选中的单元内容送上数据总线DB，处理器从DB读入数据。 Address Data 地址总线AB 数据总线DB 2．存储器写的时序 处理器把要访问的存储单元地址送上地址总线AB，把要写的数据送上数据总线DB，发存储器写命令。 被选中的存储器芯片对地址译码，将DB上的数据写入选中的存储单元。 Address Data 地址总线AB 数据总线DB 存储器写周期 存储器芯片内部： 地 Y0址 Y1译 Y2码 Y3器 存储单元00 存储单元01 存储单元10 存储单元11 A0 A1 行地址译码 列地址译码 A0 A1 A3 A2 读写控制 I/O Row Address Column Address 4×4 存储矩阵 00 01 10 11 11 10 01 00 三态输出 地址线条数N，可寻址2N单元 半导体存储器芯片 存储器芯片外部：（符号，引脚） SRAM芯片： ROM（PROM，EPROM，E2P