600VVDMOS器件的反向恢复热失效机理 - 东南大学学报.PDF

第４３卷第６期 东南大学学报（自然科学版） Ｖｏｌ．４３ Ｎｏ．６ 　 ２０１３年１１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｎｏｖ．２０１３ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１３．０６．０２１ ６００ＶＶＤＭＯＳ器件的反向恢复热失效机理 １，２ ３ ３ １，２ １，２ ３ 夏晓娟 　 吴逸凡　 祝　靖　 成建兵 　 郭宇锋 　 孙伟锋 １ （南京邮电大学电子科学与工程学院，南京２１０００３） ２南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室，南京２１０００３） （ ３东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京２１００９６） （ 摘要：为了研究ＶＤＭＯＳ器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理，详细分析了６００ＶＶＤ ＭＯＳ器件体二极管的工作过程，采用ＴＣＡＤ模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状 态下的载流子密度分布及温度分布情况．模拟结果表明，ＶＤＭＯＳ器件的体二极管在正向导通 时，器件终端区同样会贮存大量的少数载流子，当体二极管从正向导通变为反向恢复状态时，贮 存的少数载流子会以单股电流的形式被抽取，使得ＶＤＭＯＳ器件中最靠近终端位置的原胞中的 ｐｂｏｄｙ区域温度升高，从而导致该区域寄生三极管基区电阻增大、发射结内建电势降低，最终触 发寄生三极管开启，造成ＶＤＭＯＳ器件失效．分析结果与实验结果一致． 关键词：ＶＤＭＯＳ；体二极管；反向恢复；热失效 中图分类号：ＴＮ３８６　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１３）０６１２４３０５ Ｔｈｅｒｍａｌｆａｉｌｕｒｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆ６００ＶＶＤＭＯＳｄｕｒｉｎｇｒｅｖｅｒｓｅｒｅｃｏｖｅｒｙ １，２ ３ ３ １，２ １，２ ３ ＸｉａＸｉａｏｊｕａｎ 　ＷｕＹｉｆａｎ　 ＺｈｕＪｉｎｇ　 ＣｈｅｎｇＪｉａｎｂｉｎｇ 　 ＧｕｏＹｕｆｅｎｇ 　 ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ １ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１０００３，Ｃｈｉｎａ） ２ＪｉａｎｇｓｕＰｒｏｖｉｎｃｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＬａｂｏｆＲＦＩｎｔｅｇｒａｔｅｄａｎｄＭｉｃｒｏＡｓｓｅｍｂｌｙ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， （ Ｎａｎｊｉｎｇ２１０００３，Ｃｈｉｎａ） ３ （ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｓｔｕｄｙｔｈｅｆａｉｌｕｒｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｔｈｅｂｏｄｙｄｉｏｄｅｉｎａｖｅｒｔｉｃａｌｄｏｕｂｌｅｄｉｆｆｕｓｅｄ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＶＤＭＯＳ）ｄｅｖｉｃｅ，ｔｈｅｒｅｖｅｒｓｅｒｅｃｏｖｅｒｙｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎｏｆｔｈｅｂｏｄｙｄｉｏｄｅ ｉｎ６００ＶＶＤＭＯＳｉｓｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｉｎｄｅｔａｉｌ．Ｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｓｏｆｃａｒｒｉｅｒｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆｔｈｅ ＶＤＭＯＳｄｕｒｉｎｇｔｈｅｆｏｒｗａｒｄｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｃｏｎ