GD6990A 10G APD datasheet V10 - 英鑫光电.DOC

GD6990A型10Gbps InGaAs雪崩光电二极管芯片 GD6990A 10Gbps InGaAs Avalanche Photodiode Chip 应用范围 Applications 10千兆以太网、同步光网络OC-192、同步数字体系STM-64、10G光纤通道 10GBASE Ethernet、SONET OC-192、SDH STM-64、10G Fiber Channel 最大绝对额定值 Absolute Maximum Rating 参数名称Parameter 符号Symbol 额定值Rating 单位Unit 最小Min. 最大Max. APD偏置电压 APD voltage supply VPD - VBR V 工作温度 Operating temperature TC -45 +85 ℃ 贮存温度 Storage temperature TSTG -45 +125 ℃ 正向电流 Forward current IF - 5 mA 反向电流 Reverse current IR - 3 mA 静电放电敏感度 ESD susceptibility - 500 - V 光电性能The Opto-electronic Characteristics（@Tc=22±3℃） 特性参数Parameters Sym. 测试条件Test conditions 最小Min. 典型Typ. 最大Max. 单位Unit 光谱响应范围Response Spectrum λ — 1000～1680 nm 光接收孔径Photosensitive diameter Φ — 75±5 μm 响应度Responsivity Re λ=1.55μm,φe=1μw,M=1 0.65 0.75 - A/W λ=1.31μm,φe=1μw, M=1 0.65 0.78 - 倍增因子Multiplication factor M λ=1.55μm,φe=1μw,VR=VBR-3V 7 - - - 最大增益Maxmultiplication factor Mmax λ=1.55μm,φe=1μw,VR=VBR-1V 20 - - - 反向击穿电压Reverse breakdown voltage VBR ID=10(A, φe=0μw 25 - 35 V 暗电流 Dark current ID M=9, φe=0,Tc=22±3℃ - - 50 nA M=9,, φe=0,Tc=85℃ - - 200 正向压降 Forward voltage VF IF=1mA - 0.7 1.0 V 电容 Capacitance C M=9, - 0.20 0.25 pF -3dB截止频率 -3dB cut-off frequency BW M=9, RL=50Ω 7 8 - GHz 击穿电压温度系数 Temperature coefficient of VBR γ ID=10μA,φe=0μw-40～+85℃ 0.04 0.05 0.0 V/℃ 芯片结构图及尺寸Outline Diagram Die Dimensions (a) 芯片正视图 Top View） （b） 芯片侧面图Side View） 图 GD6990A型芯片外形结构（示意图） Fig.GD6990A outline diagram 结构及功能介绍 Introduction 10Gbps InGaAs雪崩光电二极管芯片结构为平面背照型，P、N电极共面，其基本功能为将光信号转换为电信号，并对光电流进行内部放大。 The structure of 10Gbps InGaAs avalanche photodiode, which can convert optical signal to current signal and multiple it internally, is planar and back illuminated integrated lens with P and N electrode coplanar. 使用注意事项 Precautions 应采取必要的ESD防护措施，以避免芯片被静电损伤。 Take appropriate ESD protections to avoid damage. 由于InP基芯片易碎，取用时需十分小心。请勿使用镊子，推荐使用真空吸附方式取用芯片。 InP chips are fragile and easily damaged. Special caution should be used when handling. Do n