4H-SiC pn 结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究 - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’$ # $## # ， ， ， WDO 0’$ 9D 0 # 4=EDG:C $## （ ） ###*$%#T$##T’$ # T$’(*#S U-7U P)V+Q-U +Q9Q-U !$## -B,/ 0 PBA@ 0 +D= 0 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! !#$% ’( 结型二极管击穿特性中隧穿 效应影响的模拟研究 吕红亮 张义门 张玉明 （西安电子科技大学微电子所，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##$ % $## $ $’ 基于 材料特性，建立了 结型二极管的击穿模型 该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和 ()*+,- ()*+,- ./ 0 隧穿效应 利用该模型，分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响；解释了不同的温度和掺杂条件下，器件的击穿机 0 理0 该模型较好地反映了实际器件的击穿特性0 关键词： ，二极管，击穿特性，隧穿效应，碰撞离化，模型 ()*+,- ： ， ， ， )* !$# !$$# !$1# ((# 碳化硅二极管击穿特性的模拟和研究提供了宝贵的 数据基础0 2 引 言 在掺杂较高的二极管中，直接隧穿（ GH/ ED GH/ ， ）效应是一个重要因素 在硅基器件 E;//:O,/J L7L7 0 ［，］ ()*+,- ./ 结型二极管应用领域是性能优越的 中，这一现象得到较为充分的研究( ’ 0 而在碳化硅 大功率开关器件，在高温大功率电子中将发挥重要 器件模型研究中，则一直认为碳化硅禁带宽度大，击 的作用 另外， 结存在于很多功率器件，如 0 ./ 34+* 穿主要是由于雪崩碰撞离化引起，不需要考虑隧穿 ， ，晶闸管等之中 对 结高压击穿特性的 567 8567 0 ./ 效应对击穿电压的影响0 但是，高掺杂二极管的实验 模型和模拟研究，是碳化硅器件击穿特性研究的基 研究表明，测量结果与雪崩碰撞离化理论结果存在 础，是碳化硅器件模型改进和完善的重要环节，直接 以下矛盾0 影响到很多复杂器件的设计和研究0