半导体激光器的基本结构和特性半导体激光器的基本结构和特性.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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半导体激光器的基本结构和特性半导体激光器的基本结构和特性

第五章第五章半导体激光器的半导体激光器的基本结构和特性基本结构和特性 2005-4-5 1 5.1 激光器的分类 5.1 激光器的分类 2005-4-5 2 依材料划分依材料划分 III-V族 III-V族 AlGaAs AlGaAs InGaAsP InGaAsP InGaAlP InGaAlP InGaN, AlGaN InGaN, AlGaN II-VI族 II-VI族 TeCdHg TeCdHg ZnO ZnO 2005-4-5 3 依波长划分依波长划分可见光、红外、远红外长波长三大类可见光、红外、远红外长波长三大类可见光、红外、远红外长波长三大类红外长波长：1.3µm 、1.55µm和1.48µm 红外长波长：1.3µm 、1.55µm和1.48µm 红外长波长：1.3µm 、1.55µm和1.48µm 近红外长波长：760-980nm 近红外长波长：760-980nm 近红外长波长：760-980nm 可见光：760-720nm、680-630nm、可见光：760-720nm、680-630nm、可见光：760-720nm、680-630nm、 490-400nm 490-400nm 490-400nm 远红外长波长：II-VI族激光器。远红外长波长：II-VI族激光器。远红外长波长：II-VI族激光器。 2005-4-5 4 半导体激光器电子束泵浦的 pn结注入的光泵浦的雪崩泵浦的半导体激光器激光器二极管半导体