标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制 - 发光学报.PDF

第３３卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３３ Ｎｏ４ ２０１２年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ．，２０１２ 文章编号：１０００７０３２（２０１２）０４０４４４０５ 标准 ＣＭＯＳ工艺载流子注入型三端 ＳｉＬＥＤ的设计与研制 １ １ １，２ １ １ １ ２ 韩　磊 ，张世林 ，郭维廉 ，毛陆虹 ，谢　生 ，张兴杰 ，谷　晓 （１．天津大学 电子信息工程学院，天津　３０００７２； ２．天津工业大学 信息与通信工程学院，天津　３００１６１） 摘要：采用无锡华润上华（ＣＳＭＣ）０．５ ｍ标准ＣＭＯＳ工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注 μ ＋ ＋ 入型三端ＳｉＬＥＤ器件。该器件在ｐ型衬底上进行ｎ掺杂，与ｐ衬底形成两个相对的ｎｐ结，其中一个结正 向偏置，发出峰值波长在１１００ｎｍ附近的红外光；另一个结同样正偏，作为注入结对发光进行调制。测试结 果显示：第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率，在１０ｍＡ偏置电流、３Ｖ调制电压下，可获得１ｎＷ的 光功率，与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低，该器件可与目前主流的ＣＭＯＳ工艺共电源单芯片 集成，在光电集成领域具有一定的应用前景。 关　键　词：硅基ＬＥＤ；标准ＣＭＯＳ；发光器件；正向注入发光；光电集成 中图分类号：ＴＮ３８３　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０４４４ ＤｅｓｉｇｎａｎｄＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆＴｈｒｅｅｔｅｒｍｉｎａｌＣａｒｒｉｅｒｉｎｊｅｃｔｉｏｎｔｙｐｅ ＳｉＬＥＤｗｉｔｈＳｔａｎｄａｒｄＣＭＯＳＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ １ １ １，２ ＨＡＮＬｅｉ，ＺＨＡＮＧＳｈｉｌｉｎ ，ＧＵＯＷｅｉｌｉａｎ ， １ １ １ ２ ＭＡＯＬｕｈｏｎｇ，ＸＩＥＳｈｅｎｇ，ＺＨＡＮＧＸｉｎｇｊｉｅ，ＧＵＸｉａｏ （１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ＆ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ＆ＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＩｎｓｔ．，ＴｉａｎｊｉｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００１６１，Ｃｈｉｎａ） ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｚｓｌ＠ｔｊｕ．ｅｄｕ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｓａｎｏｖｅｌｃａｒｒｉｅｒｉｎｊｅｃｔｉｏｎｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂａｓｅｄｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅ （ＬＥＤ）ｗｉｔｈｔｈｒｅｅｔｅｒｍｉｎａｌｓａｎｄｈｉｇｈｌｉｇｈｔｅｍｉｓｓｉｏｎｉｎｔｅｎｓｉｔｙ．Ｔｈｅｄｅｖｉｃｅｗａｓｄｅｓｉｇｎｅｄａｎｄｆａｂｒｉｃａ ｔｅｄｉｎｔｈｅｃｏｍｍｅｒｃｉａｌｓｔａｎｄａｒｄ０．５μｍＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｏｆｆｅｒｅｄｂｙＣｅｎｔｒａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｎｕｆａｃｔｕｒ