高温超导体的微观缺陷和电子密度随温度的变化.pdfVIP

州 虎乡非 2008年6月第22卷第3期 Journal ofChizhou College Jun．2008 VoL22 No．3 高温超导体的微观缺陷和电子密度随温度的变化 江海锋 ，邓 文 (1．池州学院 物理系，安徽池州247000；2．广西大学 物理学院，广西南宁530004) 【摘要】通过分析掺Zn和掺Ga的B1系超导体在降温(温度从295K-30K)过程中的正电子寿命谱，结果表明：超导体在降温的过程中， 由于热膨冷缩效应使得基体和缺陷处的电子密度整体性升高。但在超导临界温度转变点Tc附近．由于发生了正常态到超导态的转变，这种 转交明显改变了高温超导体的电子态。随着温度的降低．当超导体的温度接近Tc时，超导体中的自由电子形成库柏对，使得基体以及缺陷 处的自由电子密度降低，fl，f2和Tm值升高。在转变温度点Tc，fl，f2和 出现一个峰值，而自由电子密度n 出现了极小值。 【关键词1高温超导体；正电子湮没；微观缺陷；变温过程；热膨冷缩效应 【中图分类号]o511 【文献标识码】A 【文章编号】1674一儿02(2008)03—0039—05 正电子湮没技术(PAT)以其对凝聚态材料的 正电子寿命谱采用POSITRONFIT EXTENDED 局域电子结构，原子尺度的缺陷以及各种相变的敏 程序进行寿命拟合，扣除源成分和本底后得到正电 感性，在研究材料的缺陷性质和电子结构方面具有 子寿命(下1，下2，下3)和相应的强度(I。，I2，I3)。下3 独特的优势。首先正电子对材料中的缺陷十分敏 是正电子在样品和正电子源表面的湮没寿命，约为 感，其次是正电子湮没具有选择性，能反映某一类 1200ps，相应的I3较小(1％)，不考虑表面因素， 或某几类缺陷附近的电子密度和动量信息，有利于 对I。，I2重新归一化，并分别记为I’。，I’：。下 是合金 把各种缺陷的影响区分开来。另外正电子湮没实验 ．缺陷态的正电子寿命，正电子在合金缺陷态中的湮 可做动态测量即可做变温测量，适合研究相变及热 没率为 平衡缺陷。 d=f (1) 正电子寿命谱主要反映试样的电子密度，相结 根据正电子的标准两态捕获模型【”，可分别计 构等信息。实验中的正电子来自放射性同位素的正 算出正电子在合金基体中的湮没率 和寿命 一r 电子衰变，使用最多的是 a，其优点是它有较长的 b=I’l下l一一I’2下2_ (2) 半衰期和较高的衰变效率。PAT作为固体电子结构 下b= b- (3) 及缺陷的敏感探针在强关联高温超导铜氧化物的研 利用Brandt和Reinheimer提出的经验公式回，可 究中得到及时的应用。(强关联体系是指库仑作用 计算出合金基体和缺陷态的自由电子密度n 和nd 能大于(或等于)传导电子的能带宽度的体系。) n= (4) 1 Bi系高温超导体的变温过程 1．1未掺杂样品的变温过程 采用ORTEC公司的快一快符合寿命谱仪测量 样品Bi。 8Sr2Ca2Cu O (未掺杂)的超导转变 Bil sSr2Ca2Cu30r，Bil ． 6PbnsSr2Ca2Cu285Zno．150 ，Bil．6 温度为1 10K。该样品的正电子寿命参数随温度的 P 8sr2Ca2Cu24Znn6o ，Bil． n~Sr2Ca2Cu27GaozO 高温 变化如图1所示。 超导体样品温度范围295K一25K的正