c基碲镉汞分子束外延工艺优化研究 - 激光与红外.pdf

第 卷 第 期激 光 与 红 外 年 月 文章编号 红外材料与器件 基碲镉汞分子束外延工艺优化研究 王经纬巩锋刘铭强 宇常 米周立庆 华北光电技术研究所北京 摘 要 报道了 基碲镉汞 分子束外延 的最新研究进展 通过使用反射式高能 电子衍射 高温计的在线测量建立和优化了 基碲镉汞生长温度曲线 通过二 次缓冲层的生长进一步降低了界面能获得的基材料在 的厚度下半峰宽达到 原生片位错密度小于 采用此材料成功制备出了高性能的中 波 基 碲镉汞探测器 关键词硅基碲镉汞分子束外延工艺优化二次缓冲层 中图分类号文献标识码 引言 平整度实现了器件工艺过程中良好的兼容匹配性 三代碲镉汞红外焦平面技术向着大规模高性 更高的热导率从而易获得均匀性更好的焦平面 能和高可靠性方向发展传统碲锌镉基 材 器件 但是基材料生长存在着两个 料由于碲锌镉生长困难难以获得大面积 晶 技术难题其一由于材料和之间存在着 向材料机械强度晶体均匀性较差衬底杂质多价 较大的晶格失配 外延过程中不可避免地 引入大量的穿越位错一般比基材 格昂贵等缺点日益显现 逐渐成为制约碲镉汞红外 探测技术发展的瓶颈 与传统的相比 料至少高一个数量级因此必须在表面外延合适 的缓冲层 减小晶格失配 通常的方法是在 片表 基碲镉汞薄膜具有以下几个优点更大的可用 面积为大面积红外焦平面器件的制备提供了可能 面外延生长 缓冲层形成复合衬底然后再进 单晶生长技术现已十分成熟最大尺寸可达