量子点技术应用于显示器.pdf

量子點技術應用於顯示器 姓名：林宗翰 學號：4A33A051 一、量子點技術之簡介 何謂量子點? 量子點 (QUANTUM DOTS ，QDs) ，乃是應用在有機發光二極體元件(OLED)內的 發光材料，係將小分子和高分子材料所具有的性能與製程的優勢，整合成單一材 料組合(material set) 。小分子(SM-OLED)與高分子(PLED) 等兩種OLED 技術，由 於性能的限制與製程的瓶頸，導致其市場滲透率有所減緩。雖然消費者受到自發 光顯示器技術本身的視覺優勢所吸引，以及製造商不斷地看到液態製程的優勢， 然而性能及液態製程等優點卻一直無法藉由單一複合性OLED 材料達成，所以 彼此間的競爭技術不斷地推陳出新。在本文中，我們在一個標準的 OLED結構 內，藉由量子點的導入，可以達到具有高性能且又可套用在液態製程的單一平台。 若要理解量子點這種奈米材料，則必須由量子力學 (quantum mechanics) 出發。我 們知道電子具有粒子性與波動性，電子的物質波特性取決於其費米波 長(Fermi wavelength) λF = 2π / kF ，kF 為費米能級的波數 在一般塊材中，電子的波長遠小於塊材尺寸，因此量子侷限效應不顯著。如果將 某一個維度的尺寸縮到小於一個電子波長（如圖一所示）時，此時電子只能在另 外兩個維度所構成的二維空間中自由運動，這樣的系統我們稱為「量子井」 (quantum well) ；如果我們再將另一個維度的尺寸縮到小於一個電子波長，則電 子只能在一維方向上運動，我們稱為「量子線」(quantum wire) ；當三個維度的 尺寸都縮小到一個電子波長以下時，就 成為「量子點」了。[1] 圖一－量子井、量子線及量子點與電子的物質波波長比較關係示意圖 [1] 二、量子點之特性原理 量子點也是一種奈米級半導體材料，其依照「光激發光」的原理，在吸收能量較 高的光波後，電子會產生能階躍升，而當電子從高能階的狀態降到低能階的狀態 時，則會發射出波長較長（偏紅光系）的光。 [3] 1.量子點的表面效應 隨著構成量子點的原子數量的減少，粒徑也隨 之減小，比表面積隨之增大。在化 學性質方面，由於大部分原子都位於其顆粒表面，又使得化學性質異常活潑，極 易產生宏觀狀態條件下不能發生的化學反應。在光學性質方面，其反射係數會隨 著粒徑的減少而顯著降低。粒徑越小，則顏色越深，即奈米顆粒的光吸收能力越 強，呈現出寬頻帶強吸收光譜，直至成為黑色。 [4] 2.量子限域效應 量子點由少量的原子所構成，由於尺寸的限制，其內部電子在各方向上的運動都 受到侷限，不能再自由移動，這就是所謂的量子限域效應。正是這種效應導致了 量子點會產生類似原子一樣的不連續電子能級結構，因此量子點又被稱為 「人造 原子」。這種「人造原子」在被激發時也不再有普通晶體的帶狀光譜，而具有了 像原子一樣極窄的線狀光譜性質，其光譜是由帶間躍遷的一系列線譜組成。 [4] 3.量子尺寸效應 量子點最大的特點是能量間隙隨著晶粒的增大而改變，晶粒越大，則能量間隙越 小，反之，能量間隙越大。也就是說，量子點越小，則發光的波長越短（藍移）， 量子點越大，則發光的波長越長（紅移）。根據量子點的尺寸效應，我們就可以 運用改變晶粒尺寸的方法來改變發光光譜，而不再需要改變量子點的化學組成 。 [4] 4. 量子點 LED的發光形式 量子點是 QLED發光的基本材料。實現 QLED發光的主要有兩種形式：一是採 用在 GaN 基LED中作為光轉換層，有效吸收藍光發射出波長在可見光範圍內精 確可調的各色光；二是採用其電致發光形式，將其涂敷於薄膜電極之間而發光 。 [4] 不同粒徑的量子點會發射出不同波長的螢光 ，如II-VI 族的硒化鋅（ZnSe ）、硫 化鋅（ZnS ）、硒化鎘（CdSe ）、硫化鎘（CdS ）、硒化鉛（PbSe ）、硫化鉛（PbS ）… 等，或是III-VI 族的砷化鎵（GaAs ）或磷化銦（InP ），純物質IV 族的矽（Si ）、 碳（ C ）或金屬Au 奈米顆粒，近年來也受到很大的關注。到目前為止，研究最 廣泛的量子點為 CdSe量子點，因合成的 CdSe量子點晶體品質較佳、缺陷較少 及光電性質優異，CdS量子點亦有許多研究，主要其一維的量子柱性質較佳，另 外非鎘系列的量子點晶體品質稍差，仍有很大發展空間，目前主要以 InP 、ZnSe 與ZnS 為主。以目前最佳的CdSe量子點為例，一般 CdSe塊材之能隙約 1.72 eV ， 發光波長在近紅外光（～ 720