集成电路制造技术_第九课金属化与多层互连 - 西安电子科技大学.PPTVIP

第九章 金属化与多层互连 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 金属化：金属及金属性材料在IC中的应用。 分类：（按功能划分） ①MOSFET栅电极材料－MOSFET器件的组成部分； ②互连材料－将各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模 块。 ③接触材料－直接与半导体材料接触的材料， 以及提供与外部相连的接触点。 常用金属材料： Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 常用的金属性材料：掺杂的poly-Si； 金属硅化物--PtSi、CoSi2、WSi2； 金属合金--AlSi、AuCu、CuPt、 TiB2 、 SiGe 、 ZrB2 、 TiC、MoC、TiN。 绪论 9.1 集成电路对金属化材料的要求 1. 形成低阻欧姆接触； 2. 提供低阻互连线； 3. 抗电迁移； 4. 良好的附着性； 5. 耐腐蚀； 6. 易于淀积和刻蚀； 7. 易键合； 8. 层与层之间绝缘要好。 9.2 Al的应用 9.2.1 铝膜的制备方法 要求：污染小，淀积 速率快，均匀性、 台阶的覆盖好 方法：真空蒸发法(电阻丝或电子束加热) 溅射法(目前的主流，质量好) 9.2.2 Al/Si接触的现象 ①Al/Si互溶：Al在Si中的溶解度非常低； Si在Al中的溶解度相对较高； ②Si在Al中扩散：Si在Al薄膜中的扩散比在晶体Al中大40倍。 ③Al与SiO2反应：3SiO2+4Al→3Si+2Al2O3 好处：降低Al/Si欧姆接触电阻；改善Al与SiO2的粘附性。 9.2.3 Al/Si接触中的尖楔现象 图9.3 Al-Si接触引线工艺 T=500℃，t=30min.， A=4.4μm2，W=5μm， d=1μm，则 消耗Si层厚度Z=0.3μm。 ∵Si非均匀消耗， ∴实际上，A*A，即 Z*Z，故 Al形成尖楔 尖楔现象 机理： Si在Al中的溶解度及 快速扩散。 特点： 111衬底：横向扩展 100 衬底：纵向扩展 MOS器件突出。 9.2.4 Al/Si接触的改善 ①Al-Si合金金属化引线：Al中加1wt％-4wt％的过量Si。 新的问题：退火冷却后，Si在Al膜的晶粒间界析出。 影响： a.析出Si形成单晶结瘤：导致局部过热，互连线失效； b.析出Si与受主杂质Al形成p+-n结：使欧姆电阻增大， 肖特基势垒高度增 加。 ②Al-掺杂多晶Si 双层金属化结构 图9.5 Al-未掺杂多晶硅接触 典型工艺： 重磷（砷）掺杂多晶硅薄膜。 优点：抑制铝尖楔； 抑制p+-n结； 作为掺杂扩散源。 ③Al-阻挡层结构 作用：替代重磷掺杂多晶硅 典型工艺： PtSi，Pd2Si 作欧姆接触材料， TiN阻挡层。 9.2.5 电迁移现象及其改进方法 电迁移：大电流密度下发生质量（离子）输运。 现象：在阳极端堆积形成小丘或须晶，造成电极间短路； 在阴极端形成空洞，导致电极开路。 机理：在大电流密度作用下，导电电子与铝金属离子发生 动量交换，使金属离子沿电子流方向迁移。 9.2.5 电迁移现