三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化.pdf

　第 19 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 4　 V o l N o 　1998 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 三角形点结构的M BE 生长及其 量子阱限制能量的横向变化 牛智川　周增圻　韩　勤　吴荣汉 ( 中国科学院半导体研究所　国家光电子工艺中心　北京　100083) R. N o tzel, U . Jahn , M . R am steiner, K. H. P loog (Paul D rude Institut fur Festko rperelek tronik , H ausvogteip latz 57, D 10117 Berlin , Germ any) ( ) 摘要　 本文首次报道了在腐蚀图形的 311 A 衬底上, 一种新型三角形点结构的M BE 生长及 其量子阱限制能量的横向变化研究. 原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形 之间的平面区域,M BE 选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构, 其尖角沿[ 233 ]方向, 收缩 面由对称的 {111} 面构成. 低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明: 这种点状外延结构存 A 在三个分离的荧光发射区域, 分别对应于三个不同的激发光波长. 说明这种点结构中量子阱层 厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化. 低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的 三个发光峰, 结果说明在围绕点状结构顶部区域形成了 13 横向势垒, 且具有较高的辐射 m eV 复合发光效率. : 6855, 7860 , 7855 PACC H 1　引言 ( ) 在腐蚀图形的衬底 非平面衬底 上进行量子阱层的生长可以使量子阱层的厚度或组分 发生横向的变化, 这将引入横向的势垒或势阱. 已经在其生长机理和制备新的光电子学半导 体器件应用方面作了广泛深入的研究[ 1～ 4 ]. 目前在低维结构制备研究中, 这种量子阱的非平 [ 5～ 11 ] 面生长方法也日益受到了广泛重视 . 有报道研究了在一维和二维图形衬底上M BE 生 [ 12～ 14 ] 长的量子阱结构产生的横向带隙变化效应 . 但是目前看来, 用非平面衬底上的外延生 长制备低维结构存在的主要困难是: 这种方法获得的纳米结构, 其形状和尺寸大小等结构 ( ) 参数主要由原始腐蚀图形 衬底和图形的取向 和生长条件所决定, 由于腐蚀图形精度的限 制往往引起外延结构的不均匀性, 导致其电子能级分布的不均匀.