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水平冷壁CVD生长4HSiC同质外延膜
第 26 卷 第 5 期 半 导 体 学 报 Vol . 26 No . 5
2005 年 5 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S May ,2005
水平冷壁 CVD 生长 4 HSiC 同质外延膜的研究
1 1 1 1 1 2 1
高 欣 孙国胜 李晋闽 赵万顺 王 雷 张永兴 曾一平
( 1 中国科学院半导体研究所材料中心 , 北京 100083)
(2 兰州大学物理学院 , 兰州 730000)
( ) ( )
摘要 : 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积 L PCVD 方法在偏向〈1120 〉晶向 8°的 n 型 4 HSiC 000 1 衬底
3
μ
上进行了同质外延生长. 在 53 ×10 Pa 的低压下 ,外延膜生长速率超过 3 m/ h . 电容电压法测试表明在非有意掺
杂外延膜中净施主浓度为 84 ×1016 cm - 3 . Nomar ski 显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑 ,生长缺陷密度很低.
A FM 测试显示表面均方根粗糙度为 03nm ,没有观察到宏观台阶结构. Raman 谱线清晰锐利 ,表现出典型的 4 H
SiC 特征. 在低温 PL 谱中 ,近带边区域出现很强的自由激子峰 ,表明样品是高质量的.
关键词 : 碳化硅 ; 化学气相沉积 ; 原子力显微镜 ; Raman ; 光致发光
PACC : 8160C ; 6855 ; 7855
中图分类号 : TN 3042 + 3 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2005)
设计 的水平 冷壁 CVD 设备 , 成 功地在 4 HSiC
( )
1 引言 000 1 衬底上外延生长高质量的厚膜的结果.
( )
碳化硅 SiC 是一种很适合制作高压功率器件 2 实验
( )
的材料. SiC 很高的击穿电场 ～3MV/ cm 允许制
造击穿电压超过 10kV 的低损耗功率器件[ 1 ] . 低掺 同质 外 延 生 长 是 利 用 低 压 化 学 气 相 沉 积
杂厚外延膜的生长是制造高压 SiC 器件中必不可少 (L PCVD) 的方法 ,在水平冷壁石英反应器 中完成
的技术. 对于高压双极型器件 ,少数载流子必须有足 的. 所用 SiC 衬底是从 Cree 公司购买的单面抛光偏
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