掺镧ITO纳米粉体、薄膜制备与光电性能分析.pdfVIP

掺镧ITO纳米粉体、薄膜制备与光电性能研究 硕士研究生(签名)：徐浑 盖‰裟纛砉冀氽薛 指导老师‘签孙鹕雹以 摘 要 本文采用两种方法分别制备掺镧和未掺镧ITO薄膜，一种方法是采用溶胶一 凝胶法浸涂镀膜；另一种方法采用共沉淀法合成纳米ITO粉末，压制并烧结成靶 阶仪测量薄膜厚度，四探针电阻仪测量方阻，分光光度计测量可见光透过率。重 点讨论了掺镧对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。f实验结果表明： 可见光透过率大于84％的性能优良的透明导电ITO薄膜，达到国内先进水平。 (2)随着热处理温度升高，两种方法所制备ITO薄膜的晶粒尺寸增大，薄 大。 中的Sn“析出，析出的Sn“以SnO。存在。 (4)适量掺镧对可见光透过率无明显影响，但会显著降低ITO薄膜的方阻； 过多的掺镧会降低可见光透过率，对方阻的影响不大。掺镧与末掺锎的ITO薄膜 比较，方阻可降低30％～60％，透过率下降约5％。 (5)溶胶一凝胶法制备掺镧ITO薄膜的合适工艺条件为：热处理温度为 方阻为40 掺镧可以提高ITO薄膜的导电性能。、，一 ／节l／一 f， ，，7 关键词：溶胶一凝胶法；共沉淀法：铟锡氧化物 e商；掺塑!里塑璺；亳阻 r—+’‘～‘。。H—一’。-_。__。。。。‘。。’一 可见光透过率 ‘…∥’ ionof La ITOfi I Preparat Ills I doped andlO and of their Study opticaI—eIectricaI properties nne 【至『 她 ‰“M 篡～ 粼一 小基．1} 舰锄 、、 一叼” e●L 需纫 盼．缪№●曙已d，．DS慨 In this tin filmsandLa ITOfilms paper,indiumoxide(ITO)thin were doped two by methodsonK9 and ofwhichisSol。Gel prepared glass quartzglass，one ischemical to method，another process ITO CO—precipitationsynthesize nano—powder． The were intoITO and vacuum powderscompactedtarget