电流检测方法 - MOTer.PDF

电流检测方法 1 1 传统的电流检测方法传统的电流检测方法 1 1 传统的电流检测方法传统的电流检测方法 1. 1 1. 1 利用功率管的利用功率管的 RDSRDS 进行检测进行检测( RDS SENSIN G)( RDS SENSIN G) 1. 1 1. 1 利用功率管的利用功率管的 RDSRDS 进行检测进行检测( RDS SENSIN G)( RDS SENSIN G) 当功率管 (MOSFET) 打开时,它工作在可变电阻区,可等效为一个小电阻。MOSFET 工作在可变电阻区时等效电阻为: 式中 :μ为沟道载流子迁移率; COX 为单位面积的栅电容;V TH 为MOSFET 的开 启电压。 如图 1 所示,已知 MOSFET 的等效电阻,可以通过检测 MOSFET 漏源之间的电压 来检测开关电流。 这种技术理论上很完美,它没有引入任何额外的功率损耗,不会影响芯片的效率, 因而很实用。但是这种技术存在检测精度太低的致命缺点: (1) MOSFET 的RDS本身就是非线性的。 (2) 无论是芯片内部还是外部的 MOSFET ,其RDS受μ, COX ,V TH影响很大。 (3) MOSFET 的RDS随温度呈指数规律变化 (27～100 ℃变化量为 35 %) 。 可看出,这种检测技术受工艺、温度的影响很大,其误差在- 50 %～ + 100 %。 但是因为该电流检测电路简单,且没有任何额外的功耗,故可以用在对电流检测精度 不高的情况下,如DC2DC 稳压器的过流保护。 图1 利用功率管的RDS进行电流检测 All rights reserved 2014/MOTer 1. 2 1. 2 使用检测场效应晶体管使用检测场效应晶体管(SENSEFET)(SENSEFET) 1. 2 1. 2 使用检测场效应晶体管使用检测场效应晶体管(SENSEFET)(SENSEFET) 这种电流检测技术在实际的工程应用中较为普遍。它的设计思想是: 如图2 在 功率 MOSFET 两端并联一个电流检测 FET ,检测 FET 的有效宽度 W 明显比功率 MOSFET 要小很多。功率MOSFET 的有效宽度 W 应是检测FET 的100 倍以上 (假设两 者的有效长度相等,下同) ,以此来保证检测 FET 所带来的额外功率损耗尽可能的 小。节点 S 和M 的电流应该相等,以此来避免由于 FET 沟道长度效应所引起的电流 镜像不准确。 图2 使用场效应晶体管进行电流检测 在节点 S 和M 电位相等的情况下,流过检测FET的电流 IS 为功率MOSFET 电流 IM 的1/ N ( N 为功率 FET 和检测 FET 的宽度之比) , IS 的值即可反映 IM 的大 小。 1. 3 1.