芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究 - 发光学报.PDF

第３８卷　 第４期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ４ ２０１７年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ. ꎬ２０１７ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０４￣０４９９￣０８ 芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究 １ꎬ２ ３ ４ ∗ １ １∗ １ 吕晨曦 ꎬ张　 镭 ꎬ杨　 杨 ꎬ张立功 ꎬ林　 杰 ꎬ刘星元 (１. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所ꎬ吉林 长春　 １３００３３ꎻ ２. 中国科学院大学ꎬ北京　 １０００４９ꎻ　 ３. 长春轨道客车股份有限公司ꎬ吉林 长春　 １３００６２ꎻ ４. 内蒙古民族大学 化学化工学院ꎬ内蒙古 通辽　 ０２８０００) 摘要:对苯基、萘基和蒽基在中位取代的氟硼二吡咯(ＢＯＤＩＰＹ)衍生物薄膜的放大自发辐射(ＡＳＥ)性能进行 了研究ꎬ探讨了影响材料ＡＳＥ稳定性的因素ꎮ 首先ꎬ将３种ＢＯＤＩＰＹ衍生物材料ＰｈＢＯＤ、ＮａＢＯＤ和ＥｎＢＯＤ掺 入聚苯乙烯经溶液旋涂法制备成薄膜ꎬ接下来测试了吸收光谱和荧光光谱ꎬ然后在光泵浦条件下测量了３种 样品的ＡＳＥ性能ꎬ获得了材料的ＡＳＥ 阈值ꎮ 进一步通过长时间泵浦、环境中长时间放置和高温环境下泵浦等 方法研究了材料的光稳定性、ＡＳＥ环境稳定性和热稳定性ꎮ 最后使用 Ｇａｕｓｓｉａｎ ０９计算了分子基态性质ꎮ 实 ２ 验结果表明ꎬＰｈＢＯＤ、ＮａＢＯＤ和ＥｎＢＯＤ薄膜的初始阈值分别为１２.４ꎬ４.５５ꎬ３.４ ｋＷ/ ｃｍ ꎬ其中ＰｈＢＯＤ有较强 的ＡＳＥ稳定性ꎮ ＡＳＥ稳定性差异可能与分子结构的共轭程度和化学稳定性相关ꎮ 分子中各个基团的共轭程 度较大、Ｍｕｌｌｉｋｅｎ 电荷分布对称性较好的材料具有较好的ＡＳＥ稳定性ꎮ 关　 键　 词:氟硼二吡咯衍生物ꎻ放大自发辐射ꎻ稳定性ꎻ分子结构 ＋ 中图分类号:Ｏ４３２.１ ２　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０４９９ Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｓｏ Ａｒｏｍａｔｉｃ Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ＢＯＤＩＰＹ Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ Ｆｉｌｍｓ １ꎬ２ ３ ４ ∗ １ １∗ １ ＬＹＵ Ｃｈｅｎ￣ｘｉ ꎬＺＨＡＮＧ Ｌｅｉ ꎬＹＡＮＧ Ｙａｎｇ ꎬＺＨＡＮＧ Ｌｉ￣ｇｏｎｇ ꎬＬＩＮＪｉｅ ꎬＬＩＵ Ｘｉｎｇ￣ｙｕａｎ (１. ＳｔａｔｅＫｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｏｐｔｉｃｓꎬ ＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ ａｎｄ ＰｈｙｓｉｃｓꎬＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＣｈａｎｇｃｈｕｎ １３００３３ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００４９ꎬＣｈｉｎａꎻ ３. ＣｈａｎｇｃｈｕｎＲａｉｌｗ