MOSFET 在感应叠加型高压双方波脉冲发生装置中的应用 - 高电压技术.PDF

第 41 卷 第 12 期：4066-4072 高电压技术 Vol.41, No.12: 4066-4072 2015 年 12 月 31 日 High Voltage Engineering December 31, 2015 DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2015.12.028 MOSFET 在感应叠加型高压双方波脉冲 发生装置中的应用 1,4 1 2 3 1 4 赵 鑫 ，张乔根 ，白雁力 ，龙井华 ，刘轩东 ，贺元康 1. 710049 （ 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安 ； 2. 深圳大学光电子技术研究所，深圳518060； 3. 518060 4. 710048 深圳大学物理学院，深圳 ； 西北电网有限公司，西安 ） 摘 要：为了获得脉冲间距较小并且可随时调节的高压方波脉冲，利用MOSFET 响应快、重复频率高的特点研制 8 18 出了感应叠加型固态高压双脉冲发生装置，该装置主要由 个感应叠加模块组成，每个感应叠加模块由 个并联 的功率 MOSFET 构成。每个功率 MOSFET 具有专用的驱动电路，该驱动电路由雪崩晶体管产生的触发脉冲进行 8 10 同步触发。通过测试，所搭建的 个模块感应叠加装置具有输出高压大电流双方波脉冲的能力，在 Ω负载条件 3.6 kV 360 A 10% 下输出的高压大电流双脉冲的峰值电压达 、峰值电流达 。输出脉冲底部不平坦度 。通过优化调 节雪崩触发脉冲的时间一致性，获得的输出高压脉冲的上升沿和下降沿时间分别为 20 ns 及 30 ns 。通过调整雪崩 触发脉冲源输出的双触发脉冲的脉宽和脉冲间隔，可调节输出高压双脉冲的脉宽及脉冲间隔。 关键词：MOSFET ；感应叠加；直线型变压器驱动源；高压脉冲发生装置；双方波脉冲；雪崩同步触发 Application of MOSFET in High Voltage Double Square-wave Pulses Generator with Inductive Adder Configuration 1,4 1 2 3 1 4 ZHAO Xin