MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模＊.PDF

维普资讯 第2l卷 第2期 传 感 技 术 学 报 V0I．2l No．2 2008年 2月 CHINESE JOURNAL OF SENSORSAND ACTUATORS Feb．2008 A M odelofM oSFET’SSecondBreakdownActionjnCircuit—Level CU／Qiang ，HANYan，DONGShu—rong ，LIUJun-jie～，SIRui-jun ，1．InstituteofMicroelectronicsandPhotoelectronics，Zh iangUniversity，Hangzhou310027，China； 、 ＼2．DepartmentofElectricalandComputerEngineering，UniversityofCentralFlorida，Orlando，FL32816USA， Abstract：A methodtoexacttheelectricalparametersandmodelthesecondbreakdownactionofM0S唧 ’Sunder ESD (Electro-StaticDischrage)oncircuit-level，usingTCAD simulation。ispresented．M0SFET isoneofthe mostimportantESDprotcetiondevices，andiswidelyusedasI／Oprotectiondeviceinintegratdecircuits．Wepres— entanaccuratemacromodelofthe basedOndeepanalyzingofthephysicalmechanism ofthesecond breakdown，usingTCAD simulation．Thismacromodelownsfineconvergencyandaccuracywhichareofimpor— tancetothesimulationoftheESD protcetionabilityoftheESD protectionnetworkoncircuitandsystem leve1． Keywords：MOS；secondbreakdown；circuit-level；macroblock；modeling EEACC：7230M MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模* 崔 强 ，韩 雁 ，董树荣 ，刘俊杰 ，斯瑞琚 (1．浙江大学 微电子与光电子研究所，杭州 310027；2．中佛罗里达大学 电机系，美国奥兰多 32816) 摘 要：采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数，对MOS器件二次击穿行 为进行电路级宏模块建模。M0S器件是一种重要的静电放电防护器件 ，被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器 件。用TCAD仿真工具对 MOS器件的二次击穿进行宏模块建模 ，该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理，具有 良好的精确性和收敛性 ，这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。 关键词：MOS；二次击穿；电路级；宏模块；建模 中图分类号：TN45 文献标识码 ：A 文章编号：1OO4—1699(2OO8)O2-o361一O4 MOS管器件是一种重要的静电放 电防护器件， 历第二次击穿的现象。用来作为静电保护的MOS 被广泛地应用为集成电路 I／O 口的静电保护器件。 器件永久毁坏性的 “二次击穿”行为的精确建模与深 MOS管器件用于静电保护器件的时候需要将栅极， 刻分析鲜见报道。本文将会介绍一种利用 TCAD 源极和衬底接地，漏极和 I／O 口接同一电平。用 工具对MOS器件的电路级建模的方法。 MOS器件做ESD防护器件的时候，利用的是 MOS l 两次击穿的机理