基于柔性PI基底的氧化物IGZOTFT器件工艺及特性研究 - 液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ５ 　　 Vol．３０　No．５ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ １０ 　 　 　 Oct．２０１５ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０５Ｇ０７９６Ｇ０５ 基于柔性 基底的氧化物 器件 PI IGZOTFT 工艺及特性研究 ∗ , , , , 陈龙龙 张建华 李喜峰 石继锋 孙 翔 　 ( , ) 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 上海　２０００７２ : , 摘要 讨论了基于柔性 基底上的底栅型 器件工艺 通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形 PI TFT . , / , 、 状 本文 TFT器件是基于氧化物 IGZO为有源层 栅绝缘层采用 SiN SiO双层结构 采用两次补偿曝光 干刻方式消 ３ ４ ２ , . , , 除干刻引入的下切角形状 有效解决了薄膜沉积引入的断线风险 实验结果表明 经过 SEM断面观察 干刻后双层结构 , ２/( ), 角度适合 器件后续沉膜条件 柔性基底上制作的 器件迁移率达到 阈值电压 约 taer TFT TFT １４．８cm V s V p th , / , / ６. , 亚域值摆幅 约 器件的开关比 通过此方法制作出的器件性能良好 满足 ０５V SS ０．５V decadeTFT I I ＞ １０ on off 、 或电子纸的驱动要求. LCDOLED : ; ; ; 关 键 词 柔性 薄膜晶体管 铟镓锌氧化物 迁移率 　 　 中图分类号