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金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏 - 物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管
以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究!
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孟志国 吴春亚 李 娟 熊绍珍 郭海成 王 文
!）（南开大学信息学院光电子器件与技术研究所，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，
光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学，天津大学），天津 $%%%!）
# ）（香港科技大学电机电子工程系，香港九龙清水弯）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管（ ）的技术 使用该技术可在
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大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件7 在进一步的研究中，设计了
一种新型的栅控轻掺杂漏区（ ）结构，有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题 使得
8,+)99 7 )*+,-./
0123+45 *6* 更适用于高质量的有源矩阵显示器7
关键词：金属单向诱导横向晶化，多晶硅薄膜晶体管，新型栅控轻掺杂漏区结构
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沟道和自对准 源漏区的 已见报道 这种
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!K 引 言 技术适合于大面积微电子产品N ，而且其*6* 的特
性参数明显优于常规的4;/+
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