对向列相液晶反转壁中＋1缺陷处挠曲电效应的理论分析 - 液晶与显示.pdf

第 卷 第 期 液晶与显示 ３１ 　 ８ 　　 Vol．３１　No．８ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１６ ８ 　 　 　 Au．２０１６ g 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１６０８Ｇ０７４０Ｇ０８ 对向列相液晶反转壁中 缺陷处挠曲 ＋１ 电效应的理论分析 , １ ２ ３ ３ ３∗ , , , 张 辉 郑桂丽 田 毅 张志东 　 　 ( , ; １．河北工业大学 电子信息工程学院 天津 ３００４０１ , ; ２．天津市电子材料与器件重点实验室 天津 ３００４０１ , ) ３．河北工业大学 理学院 天津 ３００４０１ : , 摘要 基于 等人文章中关于向列相液晶反转壁中 缺陷处挠曲电效应的实验现象 我们利用 PramodaKumar ＋１ LandauＧ . , deGennes理论给出相应的理论分析 当对弱锚定的平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电压 在反转壁中的 . , 缺陷会发生旋转 对于其中的 缺陷 我们给出了外加电场作用下液晶分子的自由能表达式并通过模拟描述指向 ±１ ＋１ . 矢的方位角和极角的变化情况给出相应的缺陷处电场驱动的结构变化 模拟结果给出的挠曲电效应引起的方位角的变 化角度与 PramodaKumar等人的实验得到的在＋１缺陷处消光刷的变化情况是一致的. : ; ; ; 关 键 词 液晶 挠曲电效应 缺陷 理论 　 　 ＋１ LandauＧdeGennes 中图分类号: 文献标识码: : / O７５３＋．２　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０７４０ Theoreticalanalsisofthe