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半导体桥对含能材料的点火特性研究 ３９１ 文章编号：１００６９９４１（２０１２）０４０３９１０６ 半导体桥对含能材料的点火特性研究 杨贵丽，朱顺官，沈瑞琪 （南京理工大学化工学院，江苏南京２１００９４） 摘　要：在１０ Ｆ钽电容放电激励下，对两种阻值相当质量不同的半导体桥（ＳＣＢ）和细化的发火药剂斯蒂芬酸铅（ＬＴＮＲ）和叠氮化 μ 铅（ＰｂＮ６）所组成的发火件进行了实验研究，根据发火件的电特性变化和发火现象发现半导体桥存在电热发火、电爆发火和等离子 体发火三种情况，测试了 ＳＣＢ／ＬＴＮＲ和 ＳＣＢ／ＰｂＮ６发火件的５０％发火电压和发火时间。结果表明半导体桥的发火电压阈值不仅 与发火药剂有关，还与半导体桥换能元有关，所以半导体桥的设计存在最佳质量，通过对比得知 ＬＴＮＲ比 ＰｂＮ 感度高，ＰｂＮ 比 ６ ６ ＬＴＮＲ的燃速高。 关键词：军事化学与烟火技术；半导体桥；发火药剂；临界发火电压；发火时间 中图分类号：ＴＪ４５０　 文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００６９９４１．２０１２．０４．００２ 示波器采集不同激励电压时发火件的电压、电流和电 １　引　言 阻信号，分析发火件的发火现象，得出 ＳＣＢ的发火原 理，利用 Ｄ最优化法测试不同发火件的 ５０％发火电 　　半导体桥（以下简称 ＳＣＢ）作为以电能输入的第 压，得出影响 ＳＣＢ发火能量的因素。 三代火工品已经得到广泛应用，于 １９６８年由美国的 Ｈｏｌｌａｎｄｅｒ发明［１］，美国圣迪亚实验室对其进行了研 ２　实验装置与实验现象 究和完善，并分别于 １９８７年和 １９９０年获得专 利［２－３］。它与传统桥丝式火工品相比具有体积小、发 ２．１　实验元件和装置 火能量低、响应快等特点［４］。国内外许多学者对 ＳＣＢ 　　选用两种 ＳＣＢ作为实验对象，桥区结构见图１，两 产生等离子体的行为进行了若干研究，普遍认为 ＳＣＢ ＃ 种样品的厚度均为 ２ ｍ，分别对１００发１样品和 μ 的工作原理为，桥一旦熔化并且完全气化后，电流通过 ＃样品利用显微镜（ＯＬＹＭＰＵＳＢＸ５１）和多用 １００发２ 硅蒸汽即产生等离子体［５］，由此认为ＳＣＢ点火属于等 ＃样品桥 表（Ａｇｉｌｅｎｔ３４４０５Ａ）进行测量，经统计，其中１ 离子体点火，即脉冲电流使 ＳＣＢ熔化、气化爆发后形 区平均长度 ｌ为 ２１ ｍ，平均宽度 ｗ为 ５０．５ ｍ， μ μ 成等离子体，等离子体引燃压装在 ＳＣＢ上药剂［６］，而 为６０°，平均电阻为 ４．２７ ，取多晶硅的密度 θ Ω ［７］ －３ ＪｏｎｇｄａｅＫｉ