雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能分析.pdfVIP

浙江大学硅材料国家重点实验室 摘 要 ／氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于 ～ j鲁衰面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等领域。近 年来，ZnO作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。和GaN相比， 辐射阈值较低，能量转换效率很高等优点。有可能实现室温下较强的紫外受激发 射．制备出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极管等光电子器件。另外， ZaO的辐射波长具有比GaN的蓝光发射更短，对增加光记录密度具有重要意义．、／ 一 本论文综述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理，并概括了ZnO薄膜研究 的最新进展。利用自制的雾化汽相沉积技术生长了高度C轴择优取向的ZnO晶 体薄膜，并用x射线衍射仪(Ⅺ①)、扫描电子显微镜(sEM)、原子力显微镜 (AFM)、紫外．可见光光谱仪(UV-Vis absorptionSpectrometer)、Hall效应测试 仪等方法对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。研究了各生长条件如衬底温度、 前驱体溶液浓度、衬底类型等参数对ZnO薄膜性能的影响。 f在国际上首先实现了用氨水作为掺杂剂掺杂制备P型ZnO薄膜，并研究了其 l 掺劣虮理及光学、电学性能。利用雾化汽相沉积的P型导电ZnO薄膜，载流子 10cm～，且具有较好的光学性能。 浓度可达2．5x 另外，制各了AYn-ZnO／p．Si异质结，测试了不同环境下该异质结的I—V曲线。 并在实验中首次发现在经过真空处理后的Al／n．ZnO／p．Si异质结中表现出了类似 上述具有创新性的工作内容已经申请国家发明专利，相关内容已经被国外翩 物录用。 关键字：Zn0薄膜：P型掺杂；雾化汽相沉积；光电性能 Abstract ZincOxideisamaterialusedin isusedas widely many areas．Traditionally,ZnO aGousticwave acoustic devices(SAW)，bulk devices(BAW)，Gassensors，varistors， SOon．In recent has more transparentelectrodes，and years，ZnO andmore gained attentionasawideband to isoneofthe GaN，which most semiconductor．Compared successfulwide。band at semiconductor materials is present，ZnO promising： ZnOwith defect