CPRE半导体探测器低噪声读出芯片及系统的研制与应用进展.pdfVIP

第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会 2016.7   成都 半导体探测器低噪声读出芯片半导体探测器低噪声读出芯片 研制与应用进展研制与应用进展 王科科，王娜娜，李鲜李鲜 等等 wangk@ihep.ac.cn 核探测与核电子学国家重点实验室 中国科学院高能物理研究所 国家自然科学基金资助项 （硅像素（硅像素XX射线探测器的低噪声与抗辐射读出芯片研制射线探测器的低噪声与抗辐射读出芯片研制 ）） 1 硅硅Si—PIN 全全耗尽耗尽型探测器型探测器 （像素，微条） CZT 碲锌镉半导体探测器 SDDSDD 硅漂移室硅漂移室 针对半导体探测器研制低噪声能谱型读出芯片 或或低功耗中等噪声计数型低功耗中等噪声计数型芯片芯片 2 (目标项目： X射线时变与偏振探测卫星（XTP），ATLAS PHASE II 升级等） Chargge Pulse Readout Electronics 基于前放—成形—峰值保持 结构的 通用型粒子探测器读出芯片 研制理念：模块—＞单通道—＞多通道 成熟的模块或芯片尽快投入应用中检验 3 芯片研制表 Roadmap V1.1 芯片表V1.1 简介 通道数 电荷极性 噪声水平 放大倍数（动态范围）其它 A.前置放大器 通用型 1 电子、 147e+22e/pF（配合成形） 0.0005-0.06V/fC 上 升 时 间 前放 空穴 （ 电 荷 量6pC ， 约 :27ns/5pF, 40MeV@硅） 1V，95% B.成形放大器（主放）通用型 1 电子、 2-13倍 达 峰 时 间 成形 空穴 0.3-30uS C.峰值探测与保持器 通用型 1 正向， 动态范围1-4V 峰保峰保 负向负向 D.超低噪声 超低噪声，高计数率 1 电子、 5.5e+6e/pF 约100keV以内 未计漏电流 前置放大器 空穴 （配合成形） X射