第一章金属热处理4.pptVIP

1.5固态相变概述 惯习面 １　定义：固态相变时，新相往往在母相的一定晶面上开始形成，这个晶面称为惯习面。 奥氏体－－先共析铁素体 １）奥氏体晶界 ２）惯习面{111}γ 2. 位向关系 共格和半共格界面时，两相间有一定的位向关系。 位相关系和惯习面是两个不同的概念： 惯习面是指的与新相主平面或主轴平行的旧相晶面；位相关系指的是新相、旧相某些低指数晶面、晶向的对应平行关系。 3. 应变能 共格界面应变能最大，非共格界面表面能最大。 1. 均匀形核（固态相变中均匀形核的可能性极小） 自由能变化： 临界形核功： 均匀形核率： (2)位错形核 三种形式： 1)位错线上形核，位错消失，降低形核功。 2)位错不消失，依附于新相晶界，补偿失配。 3)溶质原子在位错线上偏聚，促进形核。 (3)空位及空位集团 空位促进溶质原子扩散，提供形核驱动力，空位 群凝聚成位错促进形核。 长大方式：扩散、切变 扩散型相变新相的长大过程： 界面控制（新相生成时无成分变化），扩散控制（新相生成时有成分变化） 生长速率 受相界面控制的生长速率 * * 1.5.1固态相变的一般特征 固态相变的定义： 固体材料的组织、结构在温度、压力、成分改变时所发生的转变统称为固态相变。 固态相变的根本动力： 新相与旧相的自由焓差。 大多数固态相变是通过形核和长大完成的，驱动力同样是新相和母相的自由焓之差。阻力: 界面能和应变能 1. 相界面 （1）共格界面 （2）半共格界面 （3）非共格界面 固态相变的特点 惯习现象 固态相变的产物可以是颗粒状，也可是针状或者片状。观察结果表明：针状新相的长轴以及片状新相的主平面，常平行于旧相的某一晶面，这类晶面叫做惯习面。 惯习面可以看做新旧相的主要界面。 * 新相沿特定的晶向在母相特定晶面上形成。 ?  惯习方向 （母相） 惯习面 ?  原因：沿应变能最小的方向和界面能最低的界面发展。 按晶界两侧原子排列的连贯性分： 共格晶界 半共格晶界 非共格晶界 ① 共格晶界：界面两侧的晶体具有相似的结构和类似的取向，越过界面的原子面是连续的，界面的原子为两侧晶体所共用，这种晶界为共格晶界。 理想共格晶界 由于两晶面的晶面间距不同，为保持晶面连续，必然产生弹性应变。失配度是产生弹性应变的量度，用δ表示： δ＝(Ｃ１―Ｃ２)／Ｃ１ 式中Ｃ１和Ｃ２分别为两晶面的晶面间距。 具有应变的共格晶界 Ｃ１和Ｃ２相差愈大，δ愈大，弹性应变能愈大。弹性应变能大到一定程度，将通过引入位错（半个原子面）降低能量，即形成半共格晶界。 ② 半共格晶界：界面上分布着若干个位错及相当于小角度晶界的相界面。 图中： ⅰ）失配度增大，弹性应变能增大，系统能量与cδ2成正比； ⅱ）共格晶界在E点以后能量高于半共格晶界。 当δ=0.04时，d=25C2，每25个晶面要插入１个附加的半晶面；δ=0.1时，d=10C2, 每10个晶面要插入1个附加的半晶面。失配度δ愈大，间距d 愈小，失配度太大，插入间距太密，成为非共格晶界。 ③ 非共格晶界：界面上原子排列完全无序（不吻合），有很多缺陷分布在界面上。 通过烧结得到的多晶体，绝大多数为这类晶界。（P122，图4-18） d = C2/δ （C2—被插入者的晶面间距） 形成半共格晶界时插入的位错数量是有限的，位错间距 ： 4. 温度的影响 温度从两个方面影响固态相变：热力学和动力学。 5. 缺陷影响 新相极易在缺陷处非均匀形核。 1.5.2固态相变的形核 2.非均匀形核（能量条件） 固态相变均匀形核的可能性很小，非均匀形核（依靠晶体缺陷）是主要的形核方式。 （1）晶界形核 非均匀形核概率： 晶核最易在界隅形成，其次在界棱，最后是界面。 新相 非共格界面 晶界 共格或半共格界面 晶粒1 晶粒2 晶界形核示意图 只有晶界两侧界面都不共格时，晶核才类似球形。通常新相在大角度晶界形核时，一侧可能与母相具有一定的取向关系形成平直的共格或半共格界面，以降低界面能、减少形核功；另一侧必为非共格界面，为减少相界面面积，故呈球冠状。 1.5.3晶核的长大 晶核长大类型 成分不变协同型长