开关电源系统应用故障排除表.docxVIP

系统应用故障排除表不良现象问题状态不良原因与对策效率低无法达到能效要求1、客户为了解决EMI在MOS管DS极并联的电容过大。建议电容在68PF以内。2、RCD吸收过重。在不超过MOS的最大峰值电压的情况下建议吸收电阻使用100-200KΩ左右，电容使用在1nF-10nF左右。3、MOSFET驱动电阻过大，导致上升时间太长。兼顾EMI的前提下，SSR系统建议上升时间设计为200nS左右。4、肖特基二极管的正向导通压降太大。建议使用低压降的肖特基或够用的情况下尽量选择低耐压的二极管。5、滤波电感线径过小，加大电感的线径。建议电流密度做到6A/mm2。6、变压器线径选择不合理，铜损过大。考虑趋肤效应的前提下增加线径，减小铜损，或者使用多股线径并绕，建议电流密度做到 6A/mm2。7、假负载过重。不影响环路的情况下加大假负载电阻阻值。8、频率设置太高。保证磁芯有余量的前提下PSR系统可以增加电感量，SSR系统降低频率，建议变压器填充系数在0.85左右。9、MOS管Rdson大。使用低Rdson的MOS管或Cool MOS。10、变压器匝比小，次级肖特基压降大。不饱和的情况下可以增加匝比，控制Dmax在0.45以内。11、磁芯截面积小，线圈铜损大。建议使用大一号的变压器设计。待机功耗大无法达到待机要求1、启动电阻阻值过小。考虑启动时间的情况下一般取值在3～4M 左右。2、假负载过重。不影响环路的情况下加大假负载电阻阻值。3、肖特基二极管的正向导通压降太大。建议使用低压降的肖特基或够用的情况下尽量选择低耐压的二极管。4、X电容放电电阻阻值小。符合安规的情况下加大电阻。5、RCD吸收过重。建议重新调整RCD吸收电路。6、SSR 系统在不破坏系统的情况下，输出电压采样电阻同比例加大。输出纹波大输出电压纹波大无法达到要求1、开关纹波大：次级电容容量小。增大电容容量，使用Low ESR 的电解电容或者是固态。2、开关纹波大：滤波电路不够.增加π型滤波电路。3、开关纹波大：检查PCB LAYOUT。输出滤波回路是否先进输出电解电容然后再输出的顺序走线。4、高频纹波噪声大：检查电磁干扰源是否过大，示波器带宽限制20MHz，在示波器探头输入端接一个10uF的电解和并联一个100nF 的瓷片电容。5、工频纹波大：初级高压电解电容容量过小，波谷低于系统设计电压，造成工频纹波大。加大高压电解电容容量。6、对于SS纹波大，可能是电压环路调整不稳定。建议调整431的R脚与K脚之间R的阻值为1KΩ ,C的容量为100nF。7.工频纹波大，加快反馈环路。8、系统环路不稳。调整环路参数。（非开关纹波和工频纹波）。满载不启动满载开机失败或者一次启动不成功1、Vcc电压设置过低,IC欠压保护。增加Vcc圈数提高Vcc电压或者减小Vcc限流电阻，或者Vcc整流二极管使用较快速低VF的二极管。2、Vcc供电电容过小。增加电容的容量。3、次级容性负载过大，导致OLP。在纹波电压小于要求的情况下减小次级滤波电解电容容量。4、OCP点设置过小。推荐OCP点在额定输出电流的1.1-1.2倍左右。5、Vcc电压设置过高，导致触发OVP保护。减少反馈线圈降低Vcc电压或者增大Vcc限流电阻，或者使用普通的整流二极管。6.变压器严重饱和。PSR系统可以降低感量或增加圈数。SSR系统可以减小调频电阻增加频率，降低电感量或增加圈数。短路不保护输入功率大，或者输出有电流1、Vcc电压设置过高。减少反馈线圈降低Vcc电压，增大Vcc限流电阻，或者Vcc整流二极管使用普通的整流二极管。2、SSR系统IC的FB脚被钳位。取消FB脚的钳位二极管。3、启动电阻阻值太小。在不影响启动时间的情况下加大电阻阻值。4、变压器漏感过大造成Vcc重启，调整变压器绕法减小漏感。无输出输出电压很低，或者完全无输出1、Vcc电压设置过高，导致触发IC OVP保护。减少反馈线圈降低Vcc电压。（建议满载设计电压为15V左右）2、Vcc电压设置过低,欠压保护。增加Vcc圈数提高Vcc电压或者减小Vcc限流电阻，或者使用较快速低VF的二极管。3、VDD静电损伤（VDD对地漏电/短路）。检查原因更换IC。4、输出回路短路。检查次级元器件或PCB走线是否短路。5、SSR系统次级电感感量过大，导致回路不正常。减小电感感量。6、PCB走线或相关电性连接脚位开路，检查走线是否畅通及相关电性连接元件是否有漏焊。输出电压不稳输出电压跳动1、空载启动时VCC供电建立慢，建议Vcc整流二极管使用反向恢复速度较快的二极管。2、Vcc电压设置过低。增加Vcc圈数提高Vcc电压或者减小Vcc限流电阻，或者使用较快速低VF的二极管。3、假负载过轻。在满足待机功耗的情况下，减小假负载电阻阻值。4、辅助绕组反向，导致FB检测异常。更正反馈绕组。5、FB脚损伤