第三章陶瓷基板一.pptVIP

常用的粘结剂和增塑剂 * （3）流延设备 * TTC-1200 Single Blade Assemblies Double Blade Assemblies (4) 流延浆料的制备： 第一步：球磨混料（粉料、溶剂、分散剂； 第二步：球磨浆料 + 功能性添加剂(增塑剂、粘结剂）、去渣。 * (5) 流延膜的厚度： a : 湿坯干燥时厚度的收缩系数， h和L: 分别是刮刀刀刃间隙的高度和长度， h: 浆料的粘度， △P: (通常由浆料的高度决定)为料斗中的压力， v。: 为流延装置和支撑载体的相对速度。 (6) 获得优质流延膜的措施: 刮刀的表面光洁度 浆料的均匀性 * 第一节 陶瓷基板概论 1、陶瓷基板具备条件 2、陶瓷基板的制造方法 3、流延成型工艺 4、陶瓷基板的金属化 * 4、陶瓷基板的金属化 （1）厚膜法 厚膜金属法：在陶瓷基板上通过丝网印刷形成导体（电路布线）及电阻等，经烧结形成及引线接点等。 厚膜浆料： 粒度1-5微米的金属粉末； 玻璃粘结剂 （10%)； 有机载体 （有机溶剂、增稠剂、表面活性剂等）； 球磨混联而成。 * 玻璃系 （玻璃结合） 氧化物系 （化学结合） 玻璃与氧化物混合系 （混合结构) * 玻璃结合 + 化学结合 玻璃系特点： 软化点在粉末金属的烧结温度附近； 在粉末烧结成网络结构之前或其过程中，玻璃软化，逐渐由厚膜导体侧向基板侧流动，并流入基板的表面凹凸之中。随着玻璃网络结构的收缩，玻璃与其形成相互勾连结构；从导体表面到陶瓷基板，金属的相对含量逐渐减少，而玻璃粘结剂的含量逐渐增加，形成梯度。 表面金属含量高：提高电导率、便于焊接键合； 界面玻璃含量高，利于导体层与基板的机械结合。 * 氧化物系特点： 选用与陶瓷发生反应形成固溶体的氧化物； （例如：对于Al2O3，采用CuO或Bi2O3) 氧化物系比玻璃系更容易获得较高的结合力，导电层的焊接性能好； 烧成温度较高； 使用含有Bi2O3的玻璃粘结剂，焊接性能优良； 焊接过程中，焊料主要成分Sn发生反应： 2 Bi2O3 + 3SnO2 → 4 Bi + 3SnO2 * 玻璃与氧化物混合系特点： 玻璃系和氧化微系特征的组合； 为了降低烧成温度，同时保证较高的结合力。 * （2）薄膜法 采用真空空蒸镀、离子镀、溅射镀膜等真空镀膜法； 金属膜与陶瓷基板的热膨胀系数尽量一致； 提高金属化层的附着力。 * 一般选用具有充分的反应性、结合力强的IVB族金属Ti、Zr，及 VIB族金属Cr、Mo、W等； 上层金属: Cu、Au、Ag，电导率高，不易氧化，延展性好，可以缓解热膨胀系数不匹配导致的热应力。 * （3）共烧法 在烧成前的陶瓷生片上，丝网印刷Mo、W等难熔金属的厚膜浆料，一起脱脂烧成，使陶瓷与导体金属烧成为一体结构； 适用于多层板的制造。 * 共烧法特点： 可以形成微细的电路布线，容易实现多层化，从而实现高密度布线； 绝缘体与导体制成一体化结构，可以实现气密封装； 通过成分、成形压力、烧结温度的选择可以控制烧结收缩率。 * （4）陶瓷金属化电阻控制 对于厚膜与薄膜来说，可以使用各种不同的导体材料，通过控制膜厚，可以获得较低的电阻率； 在普通共烧中，由于陶瓷烧结温度高，导体的材料必须选用熔点高的W、Mo等难熔金属，导致电阻率较高。 * （5）陶瓷基板质量的可靠性控制 陶瓷基板本身质量 微观上：陶瓷晶粒的大小的影响 晶粒较大，容易金属化，封接强度随着氧化物晶粒增大而增大； 但是晶粒过大，粘接强度反而降低； 对每个批次瓷件都抽样做金相检验，确保微观的一致性。 * 宏观上：陶瓷基板的表面光洁度 金属化面应研磨到0.8微米以下； 用粗糙度测量仪直接对陶瓷基板进行 100％的封接面检验测量。 * 金属化配方 对不同的陶瓷基板， 金属化配方是不一样的，许多的试验研究都是围绕这方面进行的。 金属化配方设计原则 ----活化剂玻璃相的膨胀系数 陶瓷与金属以及金属化层骨架材料中Mo颗粒与活化剂玻璃相的膨胀系数的匹配均至关重要： σ封 = σ 瓷- σ应力 σ封 ：陶瓷-金属封接强度； σ 瓷：陶瓷强度； σ应力：陶瓷-金属封接界面所产生的应力（主要来源 于异种材料的膨胀差） 为了提高σ封， 应尽量减小σ应力，是十分必要的。 * l为铜，2为不锈钢，3为蒙乃尔合金，4为镍，5为铁，6为钛，7为 ，合金，8为 96％ A1203瓷，9为 85％AI 0 瓷，l0为可伐，ll为钼，l2 为钨。 异种材料的膨胀系数通常是不同的，存在应力不可避免。 在材料选用上、封接工艺上想办法