集成氧化物TFT周边驱动电路进展.PDF

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集成氧化物TFT周边驱动电路进展

集成氧化物TFT周边驱动电路进展 报告人:廖聪维 日期:2013-11-20 Outlines 1 背景介绍 IGZO 集成周边驱动电路现状 主要问题和挑战 2 低功耗IGZO GIA研制 从逻辑部分低功耗出发 从发光部分低功耗出发 3 IGZO VCO VCO测试结果 相关报道 1 背景介绍 IGZO 集成周边驱动电路现状(1) 像素区 周边驱动区 窄边框TFT面板周边可能包括 GIA 电路 VCOM走线,ESD 以及测试结构 DC/DC ,level shifter等其他电路 1 背景介绍 IGZO 集成周边驱动电路现状(2 ) I公司窄边框面板roadmap(正在研究) a-Si GIA,HD, 1.2mm 的实现 IGZO GIA 的实现 1 背景介绍 IGZO 集成周边驱动电路现状(3 ) 目前,I公司的IGZO面板的GIA 电路架构与a-Si 的相同 TFT尺寸等比例地缩小到a-Si 的1/10 已经成功点亮4.7英寸窄边框IGZO 液晶面板,良率~10% 1 背景介绍 IGZO 集成周边驱动电路现状(4 ) 4.7英寸窄边框IGZO 液晶面板 IGZO-GIA部分显微照片 1 背景介绍 主要问题和挑战(1) 器件方面 IGZO 良率偏低 稳定性不好 电路方面 没有体现IGZO 特点,发挥其优势 更多电路可能集成到显示面板上 1 背景介绍 主要问题和挑战(2) Sharp,Semiconductor Energy Laboratory等着力宣传IGZO 的 低漏电、低功耗优势 H. Inoue, et al, Nonvolatile Memory With Extremely Low-Leakage Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor, JSSC, 2012 Outlines 1 背景介绍 IGZO 集成周边驱动电路现状 主要问题和挑战 2 低功耗IGZO GIA研制 面向低逻辑功耗的IGZO 面板设计 面向低发光损失的IGZO 面板设计 3 IGZO VCO VCO测试结果 相关报道 2 低功耗IGZO GIA研制 低逻辑功耗的IGZO面板设计(1) Semiconductor Energy Laboratory Power consumption is reduced by variable frame frequency (from 1/60 fps to 120 fps) depending on images S. Amano, et al, Low Power LC Display Using In-Ga-Zn-Oxide TFTs Ba

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