半导体物理与器件第十二章1题库.pptVIP

对SI,bjt ΔEv=0eV,在所设器件参数下： 对某GaAs HBT ΔEv=0.193eV，在所设器件参数下： 没有放大倍数 放大倍数很大。 相同器件尺寸和掺杂参数下HBT器件具有更优异的性能 12.4 非理想效应 共发射极组态输出特性曲线： 非理性因素-厄利（雷）电压效应 前面的分析默认中性基区宽度XB恒定，实际上基区宽度是BC结电压的函数，随BC结反偏电压变大，BC结空间电荷区或耗尽区变宽，基区宽度减小，基区少子浓度梯度增加，这种效应称为基区调制效应或厄利（Early）效应 非理性因素-厄雷电压效应 在电流电压输出特性曲线上可以观察到厄利（雷）效应 理想情况下，IC电流与VCE无关，仅与输入的VBE或IB有关。 存在厄雷效应时，IC随VCE增大而增大。 如何减小厄雷效应？？？ 其他非理想因素 大注入效应 击穿电压: 穿通击穿现象，BVCEO，BVCBO 发射极禁带变窄效应 自热效应 。。。。 GP曲线：增益、理想因子、电流成分 共发射极增益曲线：fT 自热效应：增益下降，增益坍塌现象 击穿特性：BVCEO BVCBO （3-4） 双极晶体管的等效电路、频率及开关特性（12.5-7） 晶体管的等效电路： 双极晶体管的两类等效电路模型 晶体管的数学模型，用基本的电路元件等效出晶体管的外部特性电流电压特性，以便于对晶体管电路特性进行手工计算和计算机仿真。 大信号非线性模型：其数学模型直接使用半导体器件理论推导得到的伏安特性关系。E-M模型、GP模型等。 小信号线性模型：其数学模型参数来自在直流偏置点的微分。Hybrid-PI模型，T型模型等。 大信号非线性E-M模型: 该模型的理论基础是将BJT看做两个PN的组合特性。 这个基本的EM模型包括了4个模型参数，分别为： 放大模式下共基极电流增益 反向放大模式下共基极电流增益 BC结反向饱和电流 BE结反向饱和电流 对大信号模型在直流偏置点上进行线性化处理，可得到小信号线性等效电路模型，当晶体管工作在共发射极组态时，可以得到小信号线性HP模型： 基极与发射极结小信号等效电路 集电极与发射极间小信号等效电路 集电极与基极间小信号等效电路 完整的HP模型 电容会导致晶体管的频率响应，晶体管的增益是输入信号频率的函数。 晶体管的频率响应： 共基极组态截止频率 当晶体管工作在截止频率时，其增益下降为低频值的 由小信号模型可以证明： 为载流子从发射极到达集电极的总的时间常数： EB结电容充电时间 基区渡越时间 BC 结耗尽区渡越时间 BC结电容充电时间 共发射极组态截止频率 及特征频率 当 其中 当 称为 截止频率 称为特征频率，即共发射极电流增益降为1的频率 iB RBB iE iC rbi Cjc Cje RE RC XB Xdep Emitter Base Collector 例题： 根据简化的HP模型确定共发射极组态截止频率 低频时可不考虑电容，则： 所以： 高频时，考虑电容： 则： 所以当： 得 ： 则： 开关特性 当晶体管工作在开关状态时，晶体管工作在截止模式，饱和模式。 延时时间，BE结由反偏到正偏势垒区充电变窄 上升时间，BE正偏，少子不断注入基区，少子梯度不断增大 BE正偏，驱动晶体管进入饱和，更多少子注入基区，而后稳定 存储时间。BE反偏，饱和态时注入的额外少子被抽取，在这个阶段因少子梯度变化不大，电流不会大幅下降 下降时间。BE反偏，饱和态时注入的额外少子被抽取完，此后因少子梯度变小，电流逐渐下降 为存储在饱和模式时正偏晶体管中的额外少子电荷，即少数载流子，晶体管饱和越深这部分电荷越多，所需的存储时间ts越长，晶体管的开关速度越慢。 小结 基本工作原理 结构特点：发射区，基区，集电区 电极电流成分 电流增益：发射极注入系数，基区输运系数，复合系数 四种工作模式及少子分布 非理想效应 基区宽度调制效应（厄雷效应） 大注入效应 击穿特性 频率特性 等效电路模型 频率上限 大信号开关特性 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 半导体物理与器件 陈延湖 双极晶体管的基本器件结构特点 双极晶体管的各电极电流成分及电流增益 双极晶体管的非理想特性 双极晶体管的混合π型等效电路及频率特性 本章重点问题： 第十二章 双极晶体管 本章主要内容： 双极晶体管的工作原理(12.1 )