谱导数法在光谱研究GaInAsΠInP 和GaInPΠAl Ga In P 多量子阱中的.PDF

第 52 卷 第 10 期 2003 年 10 月 物 　理 　学 　报 Vol. 52 ,No. 10 ,October ,2003 ( ) 10003290200352 10 253407 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin. Phys. Soc. 谱导数法在光谱研究 Ga InAsInP 和 Ga InPAl Ga InP 多量子阱中的应用 邵 　军 (4. Physikalisches Institut , Universitt Stuttgart ,D70550 Stuttgart , Germany) ( 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海　200083) ( ) 2002 年 11 月 19 日收到;2003 年 1 月 27 日收到修改稿 　　在简要讨论谱导数法物理机理的基础上 , 给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变 GaInAsInP 和 GaInPAlGaInP 多量子阱中的成功应用实例. 比较了不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的影响 ,论及了其与双调制 谱方法、曲线拟合方法的区别. 指出了谱导数法在光谱研究 GaInAsInP 和 GaInPAlGaInP 多量子阱中的重要性和易 行性. 关键词 : 谱导数法 , 吸收谱 , 反射谱 , 多量子阱 , 激子 PACC : 7135 , 7850 , 7840 , 7865 本文先简要分析谱导数法的物理机理 ,然后给 1 引 言 出其在吸收谱和反射谱方法研究 GaInAsInP 和 GaInPAlGaInP 多量子阱激子行为中的成功应用实 近来 , GaInAsInP 和 GaInPAlGaInP 多量子阱因 例. 通过比较不同阶谱导数对测定激子跃迁能量的 在电光器件上的重要应用而引起广泛关注[1 —10 ] . 影响 ,并讨论其与双调制谱方法以及曲线拟合方法 为了指导、改进器件设计 ,对材料特性的准确了解是 的区别 ,指出其在光谱法研究宽禁带多量子阱中的 非常必要的. 光谱方法在研究材料的特性方面发挥 重要性和易行性. 了举足轻重的作用[1 ,3 ,8 —15 ] . 其中光吸收谱和反射谱 方法更因能可靠地揭示电子轻重空穴的激子跃迁 2. 理论背景 从而测定诸如激子束缚能、有效质量等参数而备受 重视 , 并已在研究压应变 GaInAsInP 量子阱中取得 由于红外或可见光光谱可以用数学函数来描 了成功的应用[1 ,3 ,16 ] . 但在研究张应变 GaInAsInP 量 ( ) [18 ] 述 ,对其取导数 谱导数 便是可行的 . 而且可以 子阱和 GaInPAlGaInP 量子阱过程中 ,却遇到了很大 对光谱进行多次求导操作 , 从而获得不同阶数的导 的困难: 由于激子束缚能相对于压应变 GaInAsInP 数谱. 对于激子跃迁的谱线线型为洛仑兹函数